本发明公开了一种深紫外探测器件，包括由下至上依次叠置的衬底、AlN成核层、n型β相Ga2O3层、β相Ga2O3/AlxInyGa1‑x‑yO活性层、p型β相Ga2O3层、p型金刚石薄膜层、碳纳米管薄膜透明导电层和氟化物保护层，在所述n型β相Ga2O3层上引出n型欧姆电极，在所述碳纳米管薄膜透明导电层上引出p型欧姆电极。本发明还公开了这种深紫外探测器件的制备方法。本发明深紫外探测器件有助于提高探测器对微弱深紫外信号的响应度，降低光子传输的能量损耗，提高器件可靠性。