Invention Grant
- Patent Title: 绝缘基板、半导体封装结构以及绝缘基板的制备方法
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Application No.: CN202011463423.9Application Date: 2020-12-11
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Publication No.: CN114628341BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 党宁 , 潘效飞
- Applicant: 无锡华润安盛科技有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市新区锡梅路55号
- Assignee: 无锡华润安盛科技有限公司
- Current Assignee: 无锡华润安盛科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市新区锡梅路55号
- Agency: 北京博思佳知识产权代理有限公司
- Agent 曾莺华
- Main IPC: H01L23/367
- IPC: H01L23/367 ; H01L21/48 ; H01L23/498

Abstract:
本申请提供一种绝缘基板、半导体封装结构以及绝缘基板的制备方法。该绝缘基板包括沿厚度方向依次层叠设置的散热层、绝缘层和布线层,所述布线层及所述散热层的材料均为金属,所述绝缘基板还包括:多个间隔设置于所述绝缘层内的防裂纹体;其中,每一所述防裂纹体所在平面均与所述绝缘层所在平面形成有夹角,所述夹角大于0度,且小于180度。该半导体封装结构包括该绝缘基板,以及设置于该绝缘基板上的芯片。该制备方法用于制备该绝缘基板。本申请通过在所述绝缘层内间隔斜向设置或者纵向设置多个所述防裂纹体,能够大幅度提高绝缘层的导热系数并减小绝缘层撕裂的风险。
Public/Granted literature
- CN114628341A 绝缘基板、半导体封装结构以及绝缘基板的制备方法 Public/Granted day:2022-06-14
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IPC分类: