本发明揭示一种Micro‑LED芯片结构，包括：透光基板；外延结构，形成于透光基板上方，包括n型半导体层、发光层和p型半导体层；遮光层，其至少覆盖透光基板未被外延结构遮蔽的上表面，遮光层包括第一遮光层和第二遮光层，分别电性连接于n型半导体层和p型半导体层，遮光层的光反射率低于外延结构表面发光区域的光反射率。芯片结构中设置具有低反射率的遮光层，在Micro‑LED芯片不点亮的状态下呈现较黑的外观，对可见光波段的光吸收率高，大幅提升其对比度；遮光层又可作为金属电极分别与n型半导体层和p型半导体层电性连接，保护芯片的外延结构，降低芯片断线失效的发生，提高可靠度。