本申请涉及一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法，涉及半导体光电器件的领域，其包括包括外延衬底，外延衬底上依次生长有GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱有源区包括交错堆叠的GaN量子势垒层和InGaN量子阱层，InGaN/GaN多量子阱有源区和n型GaN层之间设置有第一二维材料层，相邻GaN量子势垒层和InGaN量子阱层之间均穿插有第二二维材料层，InGaN/GaN多量子阱有源区和p型AlGaN电子阻挡层之间设置有第三二维材料层。本申请具有阻挡穿透位错的生长还可以降低量子势垒层与量子阱层之间的晶格失配，进而减弱微型LED器件的极化电场，提高电子空穴的空间重叠率，从而提升微型LED器件的调制带宽以及发光效率的效果。