Invention Grant
- Patent Title: 一种等离子体射流发生装置
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Application No.: CN202210890896.XApplication Date: 2022-07-27
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Publication No.: CN115087184BPublication Date: 2024-08-09
- Inventor: 蒙林 , 王彬 , 许斌 , 李海龙 , 殷勇 , 袁学松
- Applicant: 电子科技大学
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Agency: 成都行之智信知识产权代理有限公司
- Agent 朱彬
- Main IPC: H05H1/26
- IPC: H05H1/26

Abstract:
本发明公开了一种等离子体射流发生装置,第一绝缘层、第一电极层以及等离子体加速层依次通过螺丝顺次紧密连接在底座上,第一绝缘层上设有第一通孔,第一电极层上设有第二通孔,等离子体加速层上设有第三通孔,第一通孔、第二通孔以及第三通孔同轴心设置;阴极柱穿插在第一通孔与第二通孔之间;第一绝缘层上还设有通气孔;放电腔体结构用于产生等离子体射流,并将等离子体射流向外发射;供电电路用于向放电腔体结构提供直流电源;供气结构用于向第一通孔内输送气体;本发明的有益效果为实现在等离子体射流产生的过程中,不会对放电腔体内的放电过程产生任何影响,防止阴极柱被射出。
Public/Granted literature
- CN115087184A 一种等离子体射流发生装置 Public/Granted day:2022-09-20
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