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公开(公告)号：CN119601921A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411770296.5
申请日：2024-12-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑i‑n二极管的高功率快速倒相开关，涉及高功率微波p‑i‑n二极管移相技术领域。该倒相开关包括矩形波导，2N个对称且均匀地设置于窄边波导壁上的加载线型p‑i‑n二极管移相电路，以及为移相电路提供偏置电压的偏置电源。本发明通过在波导结构中插入加载线型p‑i‑n二极管移相电路，使得微波信号不再沿着金属微带线传输而是沿着波导传输线传输，能够减小p‑i‑n二极管的功率损耗对移相电路的插入损耗的影响，降低整体的插入损耗，同时通过控制移相电路中p‑i‑n二极管的偏置状态实现倒相，能够实现纳秒级的切换速度。
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公开(公告)号：CN118865105A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410833681.3
申请日：2024-06-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V20/10 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及计算机视觉目标检测领域，具体涉及一种全景目标检测方法、装置及计算机装置。本发明的全景目标检测方法包括利用平面图像数据集构建全景图像数据集；对全景图像数据集进行标注：根据平面图像的目标掩码标注计算目标的最小外接凸多边形，将平面图像的目标最小外接凸多边形投影到球面上，得到ERP表征中目标的最小外接凸多边形，利用球面旋转卡壳算法，根据球面目标的最小外接凸多边形，计算得到球面目标的包围框标注，对于镜像填充的图像部分中不能完整包含的目标不计算包围框；选择全景目标检测的卷积神经网络模型进行训练；对模型的性能评估。本发明适用于全景目标检测。
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公开(公告)号：CN118267626A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410347031.8
申请日：2024-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: A61N1/40
Abstract: 本发明涉及医疗康复器械技术领域，具体涉及是一种基于语音控制的自动化按摩射频理疗仪，通过设置包含视觉识别模块、语音模块、驱动模块等实现基于语音控制的自动化按摩射频理疗仪，大大提高射频理疗的效率，减小射频理疗的成本，提供了两种工作模式，在双极模式理疗中，人体组织在两个电极之间，用于理疗深层组织，单极模式理疗时，两个电极在同侧，用于理疗表层组织。较之现有的射频理疗仪，需要配备按摩师，对于输出信号的控制需要手动点击或者选取触摸屏，仪器笨拙，人工成本太高。本申请提供的技术方案集成语音控制模块、压力控制、电机驱动电极移动按摩于一体，大大提高射频理疗的效率，减小射频理疗的成本。
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公开(公告)号：CN110379692B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910762276.6
申请日：2019-08-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/087 , H01J23/12 , H01J25/50
Abstract: 本发明公开了一种采用对称磁路的微波炉用扁平化磁控管，涉及微波炉技术领域，该磁控管增加了两处辅助磁体，且辅助磁体相对于铁氧体磁环而言，是远离管芯的，因此辅助磁体所在的环境温度没有铁氧体磁环高，其能够使用相对于铁氧体磁环耐温低，但是磁性更强、性价比更高的磁性材料，因此能够增强了安装架中心位置的磁场，继而能够将铁氧体磁环的直径和厚度均做的更小，利于磁控管的小型化设计；由于磁场强度得到了保证，铁氧体磁环能够做的更小，因此顶板和底板的厚度能够做的更大，相比原有技术能够增强磁路系统的导磁效果，辅助磁体的磁感线可更多的被引导至安装架中心位置，提高了辅助磁体的利用效率。
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公开(公告)号：CN114695564B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210208877.4
申请日：2022-03-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L29/10 , H01L27/098
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，涉及碳化硅半导体器件及集成电路，具体提供一种高压碳化硅功率场效应晶体管及高低压集成电路，以解决传统SiC MOSFET器件的沟道迁移率低、导通电阻高以及高温栅氧可靠性的问题；同时，基于该高压碳化硅功率场效应晶体管器件，实现其与低压器件的同一衬底集成，为新型的SiC集成电路及功率集成电路技术提供新的实现途径。本发明高压碳化硅功率场效应晶体管的沟道迁移率大大增加，比导通电阻大大降低；同时，由于新型场效应晶体管没有栅氧介质层，能够避免SiC MOSFET的栅氧高温可靠性问题，使得器件能够在高温工作，而且新型场效应晶体管能够很好的实现高低压器件的集成，能够较好地用于高温集电路和高温功率集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113193053B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110553005.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，提供一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管，用以克服沟槽结构的肖特基二极管的正向电流密度降低的问题，具体涉及高正向电流密度的氧化镓沟槽肖特基二极管、碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管及三维碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管。本发明的沟槽肖特基二极管中，仅有位于沟槽底部的第二金属阳极4下设置氧化物绝缘层或P型掺杂区，使得沟槽的侧壁与N型漂移区的上表面的第一阳极金属3与N型漂移区1形成肖特基接触，增大了电流的导通面积，因此能够减小比导通电阻，从而增大了正向导通电流，有效改善器件的性能；与此同时，不影响器件的击穿电压和反向漏电流的影响。
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公开(公告)号：CN112420694B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011227580.X
申请日：2020-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/808
Abstract: 一种集成反向肖特基续流二极管的可逆导碳化硅JFET功率器件，属于半导体功率器件技术领域。所述功率器件包括N型漂移区、位于N型漂移区上表面的正面结构和位于漂移区下表面的背面结构，背面结构包括N型漏极区，以及与N型漏极区欧姆接触的金属化漏极，正面结构包括N型源极区，以及与N型源极区欧姆接触的金属化源极。相较于现有的结构，本发明功率器件可以获得较高的沟道迁移率、较低的导通电阻，集成反向续流的肖特基势垒二极管有效提高了器件的集成度，降低了应用成本。
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公开(公告)号：CN116246920A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211516258.8
申请日：2022-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于涉及真空电子器件中的微波源技术领域，尤其涉及一种同轴线锁频锁相结构及构成的磁控管阵列系统，包括设有同轴线缆和至少设有1个同轴能量耦合器的磁控管，相邻两个磁控管的同轴能量耦合器通过位于它们之间的同轴线缆连接；N+1个磁控管至少包括N条同轴线缆，线缆的长度、阻抗和功率容量等电参数可以灵活选择；N>1，也为若干。本发明在磁控管之间引入高效的锁频锁相，使得管子之间输出的功率的相位相干，从而利用大量磁控管组成阵列突破单根管子功率容量限制问题；也解决了现有的锁频锁相硬连接方式的组阵固定、无法灵活变化的问题，同时兼顾了高效率锁频锁相的优点；结构具有大的灵活性和高效率，整体系统简洁。
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公开(公告)号：CN115235206A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210717788.2
申请日：2022-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于微波硫灯的中草药晾晒装置及方法。装置包括晾晒室，设置于晾晒室顶部的微波硫灯和设置于晾晒室底部的旋转晾晒机构；所述旋转晾晒机构包括转轴和搅拌板，所述晾晒室底部为圆柱面，考虑到在旋转晾晒机构转动时，存在将中草药带动掉出的可能性，将晾晒室设计为较为光滑的圆柱面，同时增加了晾晒面积，提高中草药晾晒的效率。所述圆柱面的轴心为转轴，所述圆柱面的半径大于或等于转轴到搅拌板远端的距离。将中草药放置于晾晒室中，开启微波硫灯，开始晾晒中草药；开启旋转晾晒机构对中草药进行搅拌，通过旋转晾晒机构的转动，防止中草药堆在晾晒室固定的地方，让中草药得到充分的晾晒。
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公开(公告)号：CN114823252A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210474551.6
申请日：2022-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波、毫米波以及太赫兹频段真空电子器件领域，提供一种基于冷阴极的双向多注行波级联放大器，采用多对行波慢波结构、以及前端与后端冷阴极平板电子枪共同构成的多电子注行波级联的阵列结构，每对行波慢波结构由并排设置的输入级慢波电路与输出级慢波电路构成，行波慢波结构之间、及其中输入级慢波电路与输出级慢波电路之间均通过矩形耦合槽相互连通；由于慢波电路具有宽带特性，而且电磁能量信号可以沿行波慢波电路以及耦合槽进行传递和放大，通过级联多对行波慢波结构，不仅保证整个系统具有宽带特性，还具有增益叠加的效果；并且，整个电路具有很好的能量回收机制，最终使得本发明具有宽频带、高增益、高互作用效率的优点。
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