本发明公开了一种Si‑GaN悬空波导单模激光器及制备方法、电调控系统及方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、N型氮化镓层，量子井层，P型氮化镓层和设置在氮化镓层上表面的电极。悬臂梁和两侧电极支架构成器件主体，电极结构则采用悬臂梁配合电极正下方支撑体的结构。本发明在硅衬底上的氮化物材料上，利用光刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺，实现两侧引脚支持结构的上下分层，以达到控制电流导通的目的，并用蒸镀方法制备Au电极结构。本发明在光激发条件下通过光谱仪对出射激光进行光谱分析协同电源对电流的调节引入焦耳热构成负反馈机制，实现对出射激光的模式的调控。