本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，薄膜晶体管包括基板、有源部、栅极、栅极绝缘部、源极和漏极，设置于基板上的有源部包括同层且连接的半导体部、第一导体部和第二导体部，第一导体部和第二导体部设置于半导体部的两侧；栅极绝缘部设置于栅极与有源部之间，栅极与半导体部对应设置，栅极包括相对的第一端和第二端，第一端和第二端分别位于栅极靠近第一导体部和第二导体部的两侧上；栅极的端部与栅极绝缘部的端部以及半导体部的端部均不重合；源极与漏极同层且间隔设置，源极与第一导体部连接，漏极与第二导体部连接；第一端到第一导体部的距离小于第二端到第二导体部的距离，可以降低薄膜晶体管的翘曲效应。