Invention Grant
- Patent Title: 一种基于FTO/TiO2:PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法
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Application No.: CN202211039175.4Application Date: 2022-08-29
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Publication No.: CN115472745BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 阮圣平 , 张宇鹏 , 翟艳男 , 刘彩霞 , 周敬然 , 李昕 , 马艳
- Applicant: 吉林大学
- Applicant Address: 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
- Assignee: 吉林大学
- Current Assignee: 吉林大学
- Current Assignee Address: 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
- Agency: 长春吉大专利代理有限责任公司
- Agent 刘世纯; 王恩远
- Main IPC: H10K30/15
- IPC: H10K30/15 ; H10K71/00 ; H10K71/12 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00

Abstract:
一种基于FTO/TiO2:PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。该探测器从下到上依次由FTO衬底、TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层、多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜和Ag电极组成,TiO2一维纳米棒阵列薄膜、PEO界面修饰层和多晶钙钛矿MAPbCl3薄膜构成TiO2:PEO/MAPbCl3异质结光敏感层,待测的紫外光从FTO衬底一侧入射。本发明通过构建复合异质结,增强内建电场,有效调节光敏层中电子传输的表面功函,降低活性层和电极之间的接触势垒,从而增强电子萃取能力,有效提高器件内部载流子的迁移效率,具有对紫外光有较高响应的优良效果。
Public/Granted literature
- CN115472745A 一种基于FTO/TiO2:PEO/MAPbCl3异质结的紫外探测器及其制备方法 Public/Granted day:2022-12-13
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