Invention Publication
- Patent Title: 避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法
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Application No.: CN202211438513.1Application Date: 2022-11-16
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Publication No.: CN115714065APublication Date: 2023-02-24
- Inventor: 胡蔡飞 , 孟浩 , 陈松林
- Applicant: 安洁无线科技(苏州)有限公司
- Applicant Address: 江苏省苏州市吴中区光福镇福聚路66号
- Assignee: 安洁无线科技(苏州)有限公司
- Current Assignee: 安洁无线科技(苏州)有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市吴中区光福镇福聚路66号
- Agency: 苏州国诚专利代理有限公司
- Agent 王丽
- Main IPC: H01F27/34
- IPC: H01F27/34 ; H01F3/14 ; H01F27/24 ; H01F27/30 ; H01F27/32 ; H01F38/14 ; H02J50/10

Abstract:
本发明提供一种避免无线充电系统发射端磁心铁氧体进入深度饱和的方法,包括:耦合机构发射端,所述耦合机构发射端包括:背板,所述背板的中间区域上设有磁心,所述磁心上设有线圈,所述磁心由多块铁氧体组成,当磁通一定时,调控增大各块铁氧体之间磁通所通过的横截面积以能够实现每一块铁氧体上的磁感应强度均小于铁氧体上饱和磁感应强度;这样不仅能够解决工艺不足所带来的铁氧体排布异常的问题出现,更能够避免铁氧体进入深度饱和的问题发生,使得整个耦合系统运行工作在良好的磁场环境下,有利于无线充电系统的性能。
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