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Invention Publication
CN115989248A 低介电常数树脂形成用组合物、低介电构件、及使用所述低介电构件的电子设备 审中-实审

  • Patent Title: 低介电常数树脂形成用组合物、低介电构件、及使用所述低介电构件的电子设备
  • Application No.: CN202180052403.9
    Application Date: 2021-10-26
  • Publication No.: CN115989248A
    Publication Date: 2023-04-18
  • Inventor: 藤原武 , 佐郷弘毅
  • Applicant: 捷恩智株式会社
  • Applicant Address: 日本东京千代田区大手町二丁目2番1号(邮递区号:100-8105)
  • Assignee: 捷恩智株式会社
  • Current Assignee: 捷恩智株式会社
  • Current Assignee Address: 日本东京千代田区大手町二丁目2番1号(邮递区号:100-8105)
  • Agency: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
  • Agent 贺财俊; 刘芳
  • Priority: 2020-182129 20201030 JP
  • International Application: PCT/JP2021/039430 2021.10.26
  • International Announcement: WO2022/092063 JA 2022.05.05
  • Date entered country: 2023-02-23
  • Main IPC: C08F20/20
  • IPC: C08F20/20
低介电常数树脂形成用组合物、低介电构件、及使用所述低介电构件的电子设备
Abstract:
目的在于实现一种低介电常数树脂形成用组合物，其可适合用于高频化不断发展的新一代通信设备、或雷达等的基板，进而散热性也高。通过使共轭或极性基少、分子的直线性或对称性高的聚合性多环化合物硬化，能够利用溶液工艺而成形，可实现显示出比以前的液晶聚合物更低的低介电性及热传导性的聚合性的组合物。
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