Invention Publication
- Patent Title: 用于防止半导体处理系统中温度相互作用的方法和设备
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Application No.: CN202211272133.5Application Date: 2022-10-18
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Publication No.: CN115992348APublication Date: 2023-04-21
- Inventor: 森幸博
- Applicant: ASM IP私人控股有限公司
- Applicant Address: 荷兰阿尔梅勒
- Assignee: ASM IP私人控股有限公司
- Current Assignee: ASM IP私人控股有限公司
- Current Assignee Address: 荷兰阿尔梅勒
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 焦玉恒
- Priority: 63/262,652 20211018 US
- Main IPC: C23C16/46
- IPC: C23C16/46 ; C23C16/458 ; H01L21/67
Abstract:
一种用于防止半导体处理系统中温度相互作用的方法和设备。本文描述了反应室配置，其中基座设置有一个或多个加热器，加热器配备有扇形分离温度控制功能。在一些实施例中，加热器连同主动冷却机构可配置成补偿由例如包括热源和散热器的相邻结构引起的温度不均匀性。在一些实施例中，可以通过每个基座内的多区独立加热或冷却元件来实现单独的温度控制。
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IPC分类:
