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    晶片支撑装置和成膜设备
    2.
    发明公开
    晶片支撑装置和成膜设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN117004926A

    公开(公告)日：2023-11-07

    申请号：CN202310430535.1

    申请日：2023-04-19

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 相田高永 ,  森幸博

    IPC: C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

    Abstract: 一种晶片支撑装置，包括：基座(40)，其具有设置在一个表面上的晶片安装表面(41)和布置在晶片安装表面(41)中的提升销通孔(44)；插入提升销通孔(44)中的提升销(50)；以及提升和降低基座(40)的升降装置(60)，基座(40)的晶片安装表面(41)是不平坦的，在提升销通孔(44)和提升销(50)之间形成通气路径(55)。

    多台基板处理系统
    3.
    发明公开
    多台基板处理系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN113862648A

    公开(公告)日：2021-12-31

    申请号：CN202110664618.8

    申请日：2021-06-16

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 森幸博

    IPC: C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/67

    Abstract: 真空处理模块具有预成型的顶板和/或成型为向外凸起的底部。顶板和/或处理模块的形状抵消了在处理模块中处理基板时由真空压力和/或高温引起的变形。处理模块具有可通向传送室的侧面和与可打开侧面相对的侧面。凸起可以是不对称的，凸起的顶峰在顶板上偏心并且更靠近相对的侧面而不是可打开侧面。刚性结构可以安装在顶板上以调节顶板中的凸起的大小。梁可以是刚性梁，其具有可调节的提升机构，以提升顶板的附接部分。处理模块可以容纳多个基板以进行处理，每个基板在处理模块中占用专用的台。

    高吞吐量、多室衬底处理系统
    5.
    发明公开
    高吞吐量、多室衬底处理系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN113782466A

    公开(公告)日：2021-12-10

    申请号：CN202110517352.4

    申请日：2021-05-12

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 森幸博

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

    Abstract: 半导体处理系统包括第一、第二和第三处理模块组件。第三处理模块组件在第一处理模块组件和第二处理模块组件之间，且包括用于提供要在各个处理模块组件中处理的衬底的开口。处理模块相对于开口横向地布置。第一处理模块组件和第二处理模块组件各自包括相关联的传送室、相关联的衬底传送装置，以及附接相关联的传送室的多个相关联的处理模块。第三处理模块组件可以包括相关联的传送室、相关联的衬底传送装置和附接至相关联的传送室的单个相关联的处理模块。处理系统配置为依次将衬底加载到邻近第三处理模块组件的处理模块组件中，最后将衬底加载到第三处理模块组件的处理模块中。

    具有多方向反应室的反应器系统
    6.
    发明公开
    具有多方向反应室的反应器系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN113249711A

    公开(公告)日：2021-08-13

    申请号：CN202110143123.0

    申请日：2021-02-02

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 森幸博

    IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455

    Abstract: 反应器系统可包括多个反应室；多个转移室；和/或联接到多个反应室中的每个反应室的至少两个闸阀。所述至少两个闸阀中的第一闸阀可以将所述多个反应室中的第一相应反应室流体联接到所述多个转移室中的第一转移室，并且所述至少两个闸阀中的第二闸阀可以将第一相应反应室流体联接到所述多个转移室中的第二转移室。在各种实施例中，多个转移室中的每个转移室可包括转移工具，其中每个转移工具可配置成将衬底转移到多个反应室中和/或转移出多个反应室。

    用于防止半导体处理系统中温度相互作用的方法和设备
    7.
    发明公开
    用于防止半导体处理系统中温度相互作用的方法和设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN115992348A

    公开(公告)日：2023-04-21

    申请号：CN202211272133.5

    申请日：2022-10-18

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 森幸博

    IPC: C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67

    Abstract: 一种用于防止半导体处理系统中温度相互作用的方法和设备。本文描述了反应室配置，其中基座设置有一个或多个加热器，加热器配备有扇形分离温度控制功能。在一些实施例中，加热器连同主动冷却机构可配置成补偿由例如包括热源和散热器的相邻结构引起的温度不均匀性。在一些实施例中，可以通过每个基座内的多区独立加热或冷却元件来实现单独的温度控制。

    专用于零件清洁的系统
    8.
    发明公开
    专用于零件清洁的系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN113410160A

    公开(公告)日：2021-09-17

    申请号：CN202110116367.X

    申请日：2021-01-28

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 森幸博

    IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44

    Abstract: 专用于零件清洁的系统的示例包括：气体供应设备，其被构造为供应清洁气体；第一适配器，其连接到该气体供应设备的气体供应端口；排气系统，其被构造为排放从气体供应设备供应的气体；和第二适配器，其被连接到排气系统的气体入口。

    气体分配组件及其使用方法
    9.
    发明公开
    气体分配组件及其使用方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113257654A

    公开(公告)日：2021-08-13

    申请号：CN202110176866.8

    申请日：2021-02-07

    Applicant: ASM IP私人控股有限公司

    Inventor： 森幸博 ,  V.H.B.G.巴宾 ,  辻直人

    IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505

    Abstract: 公开了一种气体分配组件和调节通过气体供应单元进入反应室的气体流量的方法。所述气体分配组件和所述方法可用于均匀地增加或减少通过气体供应单元的气体流量。所述气体分配组件和所述方法还可用于增加进入所述反应室的一个区域的气体流量，同时减少进入另一区域的气体流量。

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