Invention Grant
- Patent Title: 超导带材微观结构置样方法
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Application No.: CN202310002077.1Application Date: 2022-03-08
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Publication No.: CN116148007BPublication Date: 2025-04-18
- Inventor: 朱佳敏 , 甄水亮 , 陈思侃 , 张超 , 高中赫 , 马化韬 , 盛杰 , 吴蔚 , 王臻郅 , 丁逸珺
- Applicant: 上海超导科技股份有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层301-15室
- Assignee: 上海超导科技股份有限公司
- Current Assignee: 上海超导科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层301-15室
- Agency: 上海段和段律师事务所
- Agent 祁春倪
- Main IPC: G01N1/28
- IPC: G01N1/28 ; G01N1/32 ; G01N21/84 ; G01N23/2251 ; G01N23/20 ; G01B11/24 ; G01N23/04 ; G01Q60/24 ; G01R19/00

Abstract:
本发明提供了一种用于超导带材微观结构置样方法,包括:步骤1:用金属层对超导带材进行封装;步骤2:分离预设长度的封装在超导带材两侧的金属层;步骤3:固定超导带材和靠近超导层一侧的金属层,分离靠近所述超导带材基带层一侧的金属层;步骤4:从所述超导带材上分离所述超导带材的超导层和缓冲层;步骤5:对分离出的所述组合层的超导层或缓冲层进行置样;步骤6:用检测设备对置样的所述超导层或缓冲层进行观测。与现有技术相比,本发明经过解刨,各个膜层结构保存完好,有利于后期的分析。
Public/Granted literature
- CN116148007A 超导带材微观结构置样方法 Public/Granted day:2023-05-23
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