Invention Grant
- Patent Title: 一种用于变耦合工况的IPT系统的参数补偿方法
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Application No.: CN202310605831.0Application Date: 2023-05-26
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Publication No.: CN116345650BPublication Date: 2023-08-04
- Inventor: 蔡进 , 孙盼 , 吴旭升 , 孙军 , 何笠 , 杨刚 , 梁彦 , 王蕾 , 张筱琛 , 荣恩国 , 乔康恒
- Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市硚口区解放大道717号
- Assignee: 中国人民解放军海军工程大学
- Current Assignee: 中国人民解放军海军工程大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市硚口区解放大道717号
- Agency: 武汉东喻专利代理事务所
- Agent 张英
- Main IPC: H02J7/04
- IPC: H02J7/04 ; H02J7/00 ; H02J50/12 ; H02J50/70 ; H02M3/00

Abstract:
本发明涉及无线充电技术领域,尤其涉及一种用于变耦合工况的IPT系统的参数补偿方法,所述方法包括:基于S‑S型无线供电系统的工作频率和原边线圈自感计算获取原边谐振补偿电容,基于所述S‑S型无线供电系统的工作频率和副边线圈自感获取副边谐振补偿电容;基于基尔霍夫电路定律以及等效阻抗角变换计算出原边、副边等效补偿电容;将等效补偿电容和谐振补偿电容进行串联等效,分别获得系统的原边、副边补偿电容。本发明通过在各通道原副边串入等效阻抗补偿电容的方式,消除同侧交叉互感的影响;将计算获得的等效补偿电容与谐振电容进行串联等效,大幅提高各通道间的一致性,消除相位及逆变器输出电流不均衡,提高系统传输效率与稳定性。
Public/Granted literature
- CN116345650A 一种用于变耦合工况的IPT系统的参数补偿方法 Public/Granted day:2023-06-27
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