Invention Publication
- Patent Title: 一种功率半导体器件及阀串结构
-
Application No.: CN202311022874.2Application Date: 2023-08-15
-
Publication No.: CN116995045APublication Date: 2023-11-03
- Inventor: 李文源 , 石浩 , 鲁燕青 , 高凯 , 曹培 , 黄兴德 , 魏晓光 , 李学宝 , 唐新灵 , 赵波 , 梁玉
- Applicant: 国网上海市电力公司 , 北京智慧能源研究院 , 华北电力大学
- Applicant Address: 上海市浦东新区源深路1122号; ;
- Assignee: 国网上海市电力公司,北京智慧能源研究院,华北电力大学
- Current Assignee: 国网上海市电力公司,北京智慧能源研究院,华北电力大学
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区源深路1122号; ;
- Agency: 北京君有知识产权代理事务所
- Agent 焦丽雅
- Main IPC: H01L23/44
- IPC: H01L23/44 ; H01L25/04 ; H01B3/20
Abstract:
本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体器件包括主体，所述主体内设有芯片单元，所述主体内设有油腔，所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数，同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力，并且能够提升模块的绝缘能力，减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。
Information query
IPC分类:
