Invention Publication
- Patent Title: 一种适用于高压功率芯片的终端结构及制造方法
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Application No.: CN202310602819.4Application Date: 2023-05-26
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Publication No.: CN117012805APublication Date: 2023-11-07
- Inventor: 李翠 , 魏晓光 , 金锐 , 和峰 , 王耀华 , 刘江 , 高凯 , 聂瑞芬 , 田宝华 , 李立 , 高明超 , 郝夏敏 , 孙琬茹
- Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
- Applicant Address: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- Assignee: 北京智慧能源研究院,国网上海市电力公司,国家电网有限公司
- Current Assignee: 北京智慧能源研究院,国网上海市电力公司,国家电网有限公司
- Current Assignee Address: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号; ;
- Agency: 北京君有知识产权代理事务所
- Agent 焦丽雅
- Main IPC: H01L29/06
- IPC: H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336
Abstract:
一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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