本发明公开了一种高稳定性量子点色转换层及其制备方法，本发明所述高稳定性量子点色转换层，包括基板和基板上用于隔离和控制像素的黑色矩阵，所述黑色矩阵内设有量子点层，所述的黑色矩阵上设有导热涂层；所述量子点层侧面和所述导热涂层接触；所述量子点层上表面设有表面改性层，所述表面改性层是通过ALD在低于100℃的温度条件下沉积而得，厚度范围为5nm‑100nm；所述表面改性层上设有保护层，所述保护层是110‑200℃的条件下沉积而得，厚度范围为5nm‑100nm。利用本发明制备的量子点色转换层，提高了量子点稳定性的同时，还减小了micro‑LED芯片在点亮过程中产生的高温对量子点的不利影响，有效提升了micro‑LED的使用寿命。