Invention Publication
CN117979800A 热电半导体器件制作方法
审中-实审
- Patent Title: 热电半导体器件制作方法
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Application No.: CN202410168358.9Application Date: 2024-02-06
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Publication No.: CN117979800APublication Date: 2024-05-03
- Inventor: 何海龙 , 吴翊 , 任鸿睿 , 纽春萍 , 荣命哲
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Agency: 北京中济纬天专利代理有限公司
- Agent 覃婧婵
- Main IPC: H10N10/01
- IPC: H10N10/01 ; H10N10/85 ; H10N10/82

Abstract:
公开了热电半导体器件制作方法。方法中,SPS放电等离子烧结炉或热压炉烧结制成一侧带阻挡层的热电材料块;使用砂纸或油石对热电材料块的阻挡层和材料侧分别进行梯度打磨抛光;热电材料块切割为预定宽度和预定高度的热电材料条,然后将热电材料条切割为热电臂;焊接高温端电极与热电臂,热电臂高温端有阻挡层,高温端电极的电极表面设有金属镀层;对高温端热电臂间隙灌封高温填充物质,对热电臂再次使用不低于1000目的砂纸或油石进行打磨抛光;使用银基或锡基焊料进行热电臂的低温端与电极焊接。
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