Invention Publication
- Patent Title: 一种基于额外电阻补偿的低功耗低温漂系数电压基准源芯片
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Application No.: CN202410347225.8Application Date: 2024-03-26
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Publication No.: CN118466671APublication Date: 2024-08-09
- Inventor: 方中元 , 吴江 , 樊浩男 , 范王琛 , 李忠良 , 郭海洋 , 王屹晴 , 孙伟锋 , 时龙兴
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
- Agency: 南京经纬专利商标代理有限公司
- Agent 田凌涛
- Main IPC: G05F1/567
- IPC: G05F1/567
Abstract:
本发明涉及一种基于额外电阻补偿的低功耗低温漂系数电压基准源芯片，包括一阶补偿电流基准源与ZTC电路，通过对电阻修调模块R1t、R2t的修调，减弱PVT对基准电压源温度系数的影响，并且通过对输出电压可调模块R3i的调节，减弱PVT对基准电压输出电压值的影响，使其能够输出一个稳定的低温度系数基准电压，在不增加电路复杂性的情况下，实现了更低的温度系数和更低的功耗，并且输出电压同步具备了范围可调性，显著提高了电路的实用性。
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IPC分类:
