Invention Publication
- Patent Title: 处理半导体衬底的方法和装置
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Application No.: CN202410079218.4Application Date: 2018-05-15
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Publication No.: CN118519315APublication Date: 2024-08-20
- Inventor: 内德·莎玛 , 理查德·怀斯 , 游正义 , 萨曼莎·坦
- Applicant: 朗姆研究公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 朗姆研究公司
- Current Assignee: 朗姆研究公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海胜康律师事务所
- Agent 李献忠; 张静
- Priority: 15/979,340 20180514 US 15/979,340 20180514 US
- Main IPC: G03F7/20
- IPC: G03F7/20 ; G03F7/16 ; H01L21/02 ; H01L21/027 ; H01L21/033
Abstract:
本文描述了用于在光刻图案化的衬底上执行与深宽比有关的沉积和与深宽比无关的蚀刻的循环的方法和装置。方法适合于减少通过光刻形成和部分形成的特征之间的特征深度和/或深宽比的变化，一些部分形成的特征由于随机效应而部分形成。方法和装置适合于在极紫外光刻之后处理具有光致抗蚀剂的衬底。一些方法涉及通过等离子体增强化学气相沉积进行的沉积以及通过原子层蚀刻进行的定向蚀刻的循环。
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