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公开(公告)号：CN118519315A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410079218.4
申请日：2018-05-15
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/16 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本文描述了用于在光刻图案化的衬底上执行与深宽比有关的沉积和与深宽比无关的蚀刻的循环的方法和装置。方法适合于减少通过光刻形成和部分形成的特征之间的特征深度和/或深宽比的变化，一些部分形成的特征由于随机效应而部分形成。方法和装置适合于在极紫外光刻之后处理具有光致抗蚀剂的衬底。一些方法涉及通过等离子体增强化学气相沉积进行的沉积以及通过原子层蚀刻进行的定向蚀刻的循环。
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公开(公告)号：CN110379918B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910500208.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
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公开(公告)号：CN107464747B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201710291502.8
申请日：2017-04-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层蚀刻和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
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公开(公告)号：CN108807128B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810642746.0
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN107039264A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611177683.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01J37/32 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/32651 , H01L21/02211 , H01L21/02252 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/32055 , H01L21/3086
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110520963B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880023914.6
申请日：2018-02-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
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公开(公告)号：CN110383458B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880016403.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中，所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用过渡金属接触所述籽晶层来填充特征。
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公开(公告)号：CN110383458A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016403.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 一种沉积用于对衬底的特征执行自下而上的间隙填充的金属籽晶的方法包括：提供包含多个特征的衬底；使稀释金属前体溶液流入所述特征中，其中，所述稀释金属前体溶液包括金属前体和稀释液体；蒸发所述稀释液体以将所述金属前体定位在所述多个特征的底部；将所述衬底暴露于等离子体处理以将所述金属前体还原为金属或金属合金中的至少一种，并形成籽晶层；对所述衬底执行热处理；以及使用选择性间隙填充工艺以用过渡金属接触所述籽晶层来填充特征。
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公开(公告)号：CN107464747A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710291502.8
申请日：2017-04-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/427 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/02115 , H01L21/3065 , H01L21/31056 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/302 , H01L21/67213
Abstract: 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层沉积和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性，并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
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公开(公告)号：CN106469678A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610694927.9
申请日：2016-08-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/32136 , C23F4/00 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , Y10S148/042 , Y10S438/924
Abstract: 本发明涉及钨和其他金属的原子层蚀刻。本发明提供了涉及金属的原子层蚀刻(ALE)的方法，所述金属包括钨(W)和钴(Co)。本发明公开的方法提供了达到原子层级的精确的蚀刻控制，在一些实施方式中，蚀刻低至 /循环到 /循环。在一些实施方式中，在不损坏相关的表面的情况下提供定向控制。所述方法可以包括改性操作的若干循环，以形成反应性层，随后进行去除操作以仅仅蚀刻该经改性的层。执行改性，而不会自发蚀刻金属的表面。
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