本发明公开了一种具有高散热性的功率MOSFET器件散热结构，包括设置在芯片外的散热外壳，电极件和芯片的凹槽交接处设置有硅胶导热片，硅胶导热片和芯片的外侧面上设置有导热板，导热板覆盖芯片和硅胶导热片的外侧面，导热板上设有凹槽，凹槽内插有与凹槽相匹配的散热叶，散热叶连接有通风道，通风道设置有第二通风口和第一通风口，本结构不仅实现了将电极件和芯片中产生的热量转移到硅胶导热片上，且硅胶导热片也加强了电极件与芯片的连接，使得电极件与芯片的连接更加稳固，通过导热板的设置，将导热板中的热量通过散热叶将热量集中散在通风道中，热量经过通风道散在散热外壳外，极大提高了电极件与芯片的散热。