Invention Publication
- Patent Title: 溅射靶、溅射靶的制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法
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Application No.: CN202380029003.5Application Date: 2023-02-16
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Publication No.: CN118922579APublication Date: 2024-11-08
- Inventor: 谷野健太 , 小林大士 , 半那拓 , 松本浩一
- Applicant: 株式会社爱发科
- Applicant Address: 日本
- Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee Address: 日本
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 张智慧
- Priority: 2022-028218 20220225 JP
- International Application: PCT/JP2023/005444 2023.02.16
- International Announcement: WO2023/162849 JA 2023.08.31
- Date entered country: 2024-09-20
- Main IPC: C23C14/34
- IPC: C23C14/34 ; C04B35/01 ; C23C14/08 ; H01L21/336 ; H01L21/363 ; H01L29/786
Abstract:
溅射靶，其由包含由铟、镁和锡组成的式InXMgYSnZ的氧化物的氧化物烧结体构成，上述式的X为0.32以上且0.65以下，Y为0.17以上且0.46以下，Z为大于0且0.22以下，并且在X+Y+Z＝1的范围。
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