本发明公开了一种半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、第一上包覆层、电子阻挡层、第二上包覆层，所述下包覆层与下波导层之间具有第一跳模抑制层；所述第一上包覆层与上波导层之间具有第二跳模抑制层；所述电子阻挡层位于第一上包覆层和第二上包覆层之间。本发明第一跳模抑制层和第二跳模抑制层的击穿场强、电子有效质量和电子亲和能的变化角度和变化曲线，抑制耗尽区的俘获效应和边缘效应，减少深能级陷阱对电子的俘获，抑制激光器远离平衡态对应的对称性破缺在阈值处的突变现象，抑制激光器的跳模问题，降低产生跳模的阈值电流密度。