本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；缓冲层依次包括第一AlN层、第二AlN层、第三AlN层、第一超晶格层、第一AlGaN层、第二超晶格层和第一GaN层；第一超晶格层包括交替层叠的第四AlN层和第二AlGaN层，第二超晶格层包括交替层叠的第三AlGaN层和第二GaN层；第三AlN层上形成延伸至第二超晶格层的第一V坑，第一超晶格层形成第二V坑，第二V坑被第一AlGaN层填平；第二超晶格层形成第三V坑，第一V坑、第三V坑被第一GaN层填平。实施本发明，可提升发光效率。