本申请公开了低电容串接数字同轴电缆及其生产方法，其中，生产方法包括以下步骤：1)铜丝拉细得到内导体；2)先清洗液和超声波对内导体的外表面进行清洗，然后清水清洗并干燥；3)在内导体外表面包覆一层抗氧化的内衬层；4)在内衬层的外表面依次缠绕发泡PTFE带，形成多层发泡PTFE层；5)在最外层发泡PTFE层的外侧缠绕双面铝箔，形成屏蔽层，双面铝箔的搭接率≥35％；6)在屏蔽层的外侧加工出金属编织层；7)在金属编织层的外侧包覆护套层。本申请通过清洗液和超声波对内导体的外表面进行清洗有效去除内导体的杂质，然后通过清水清洗并干燥能够得到干燥且干净的内导体，最终内导体和内衬层结合后力学性能更好，不易造成回波损耗的增加。