Invention Grant
- Patent Title: 光电效应测量系统
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Application No.: CN202510021122.7Application Date: 2025-01-07
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Publication No.: CN119414200BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 付强 , 詹笑焜 , 邰涵翛 , 尹亮 , 张文博
- Applicant: 哈尔滨工业大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Agency: 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- Agent 张利明
- Main IPC: G01R31/26
- IPC: G01R31/26 ; G01N21/17

Abstract:
一种光电效应测量系统,属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光,测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块,用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光,经准直透镜形成平行光;波长选择模块,采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射,获得单一波长光束;所述单一波长光束入射到半导体样品上;所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制,改变出射光束波长;微弱电压电流检测模块,用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测,并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。
Public/Granted literature
- CN119414200A 光电效应测量系统 Public/Granted day:2025-02-11
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