本发明的目的在于提供一种在内置有SBD的碳化硅半导体装置中能提高浪涌耐量的技术。碳化硅半导体装置包括第1导电型的半导体层，该第1导电型的半导体层设有包含单位单元区域和浪涌通电区域的活性区域，所述单位单元区域包含肖特基势垒二极管区域和MOSFET区域。浪涌通电区域包含将肖特基势垒二极管区域的第1导电型替换为第2导电型的肖特基势垒二极管替换区域。肖特基势垒二极管替换区域占活性区域的面积比率为0.01％以上，并且小于未替换为肖特基势垒二极管替换区域时的肖特基势垒二极管区域占活性区域的面积比率。