电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置

    公开(公告)号:CN107615464B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201680029831.9

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明的目的在于提供防止导体图案以及绝缘层破损且具有比通常的电极端子与导体图案的接合高的接合强度的可靠性高的电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置。包括:将电极端子(3)以接合面(3j)的中央部相接的方式载置于在处于陶瓷基板(5)的电路面侧的导体图案(52a)上设置的突起(52c)的前端部的工序;以及利用超声波焊头(50)对电极端子(3)的接合面(3j)的背面(3z)进行加压并进行超声波振动而与导体图案(52a)接合的工序,由此防止导体图案以及绝缘层破损。

    电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置

    公开(公告)号:CN107615464A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201680029831.9

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明的目的在于提供防止导体图案以及绝缘层破损且具有比通常的电极端子与导体图案的接合高的接合强度的可靠性高的电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置。包括:将电极端子(3)以接合面(3j)的中央部相接的方式载置于在处于陶瓷基板(5)的电路面侧的导体图案(52a)上设置的突起(52c)的前端部的工序;以及利用超声波焊头(50)对电极端子(3)的接合面(3j)的背面(3z)进行加压并进行超声波振动而与导体图案(52a)接合的工序,由此防止导体图案以及绝缘层破损。

    碳化硅半导体装置、功率模块装置、功率转换装置和移动体

    公开(公告)号:CN119563386A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202280098133.X

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种在内置有SBD的碳化硅半导体装置中能提高浪涌耐量的技术。碳化硅半导体装置包括第1导电型的半导体层,该第1导电型的半导体层设有包含单位单元区域和浪涌通电区域的活性区域,所述单位单元区域包含肖特基势垒二极管区域和MOSFET区域。浪涌通电区域包含将肖特基势垒二极管区域的第1导电型替换为第2导电型的肖特基势垒二极管替换区域。肖特基势垒二极管替换区域占活性区域的面积比率为0.01%以上,并且小于未替换为肖特基势垒二极管替换区域时的肖特基势垒二极管区域占活性区域的面积比率。

    半导体装置、电力变换装置以及移动体

    公开(公告)号:CN115885386A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202080103496.9

    申请日:2020-09-02

    Abstract: 本发明是为了解决这样的问题而提出的,其目的在于提供一种能够降低成本的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有:基座板;绝缘基板,其设置于基座板之上;半导体芯片,其设置于绝缘基板之上;第1树脂壳体以及第2树脂壳体,它们以将绝缘基板以及半导体芯片收容在内部的方式安装于基座板,二者彼此嵌合;以及封装材料,其对绝缘基板以及半导体芯片进行封装,第1树脂壳体以及第2树脂壳体由相对漏电起痕指数不同的树脂材料构成。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106537589B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201480080484.3

    申请日:2014-07-09

    Abstract: 金属制的基座板(1)具有通孔(2)。绝缘基板(3)设置于基座板(1)之上。半导体芯片(4)设置于绝缘基板(3)之上。壳体(8)具有与通孔(2)连通的螺孔(9),该壳体(8)将绝缘基板(3)和半导体芯片(4)覆盖,设置于基座板(1)之上。金属制的螺钉(11)插入于通孔(2)和螺孔(9)而将壳体(8)固定于基座板(1)。具有柔性的软质材料(12)被填充于壳体(8)的螺孔(9)的底面与螺钉(11)的前端之间的空隙。

Patent Agency Ranking