本发明公开了一种适用于智能节能领域的半导体薄膜材料及其制备方法。本发明提供的TiO2/WxV1‑xO2/ZrO2多层薄膜系统通过W6+离子掺杂VO2以实现WxV1‑xO2功能层薄膜相变温度的调节，采用TiO2作为种子层来提高WxV1‑xO2功能层薄膜的结晶质量，使用ZrO2作为减反层来调控多层薄膜的光学性能。本发明提供的多层薄膜系统具有金属‑半导体转变特性，其相变温度可低至37℃，对300‑2500nm波长范围内的光调制能力可达11.9％，同时室温下可见光透过率可保持在40％以上。另外，本发明提出的多层薄膜系统具有制备容易、造价低廉、环境稳定性高、适合规模化生产的特点。