Invention Publication
- Patent Title: 激光二极管阵列侧面单向泵浦腔
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Application No.: CN202311275182.9Application Date: 2023-09-28
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Publication No.: CN119726333APublication Date: 2025-03-28
- Inventor: 王志敏 , 张丰丰 , 许昌 , 彭钦军
- Applicant: 中国科学院理化技术研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村东路29号
- Assignee: 中国科学院理化技术研究所
- Current Assignee: 中国科学院理化技术研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村东路29号
- Agency: 北京路浩知识产权代理有限公司
- Agent 霍秋红
- Main IPC: H01S3/0941
- IPC: H01S3/0941 ; H01S3/042 ; H01S3/04

Abstract:
本发明涉及激光二极管技术领域,提供一种激光二极管阵列侧面单向泵浦腔,包括泵浦源,用于发出泵浦光;漫反射腔体,漫反射腔体设置于泵浦源的一侧,且漫反射腔体的内侧壁包括曲面部和直斜面部,且直斜面部的中心线处开设有缝隙,缝隙作为泵浦光的入射口;且入射口与泵浦源的发光面相对;冷却管,设置于漫反射腔远离泵浦源的一侧;激光增益介质,与冷却管同轴设置且位于冷却管的内侧,激光增益介质和冷却管之间填充有冷却液。本发明通过漫反射腔体曲面部和直斜面部的设置、以及冷却管和激光增益介质位于漫反射腔远离泵浦源的一侧,能够对入射到激光增益介质的单向泵浦光进行均匀化,实现对激光增益介质单向高功率、高均匀性泵浦。
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