Invention Publication
CN119776989A 一种碳化硅单晶生长坩埚
审中-公开
- Patent Title: 一种碳化硅单晶生长坩埚
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Application No.: CN202510168223.7Application Date: 2025-02-17
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Publication No.: CN119776989APublication Date: 2025-04-08
- Inventor: 陈桂敏 , 朱军
- Applicant: 因康热处理设备(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市松江区香车路206号
- Assignee: 因康热处理设备(上海)有限公司
- Current Assignee: 因康热处理设备(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市松江区香车路206号
- Main IPC: C30B29/36
- IPC: C30B29/36 ; C30B35/00
Abstract:
本发明公开了一种碳化硅单晶生长坩埚，它涉及碳化硅生长设备技术领域。它包括：坩埚本体和籽晶,其中坩埚本体包含坩埚桶、单晶生长环和坩埚盖。本发明在检碳化硅单晶制作过程中，由于设置了单晶生长环结构，使得碳化硅单晶在坩埚内生长时，即使于坩埚内壁处结晶，也仅限于单晶生长环处结晶，从而当整个生长过程完成后，除了单晶生长环以外的坩埚部分可以继续使用，所以降低了碳化硅单晶的制作成本。
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