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公开(公告)号：CN119638428B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510184119.7
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国人民解放军国防科技大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 本发明公开了一种碳化钽涂层，属于陶瓷涂层技术领域。本发明的碳化钽涂层包括内外两层，其中内层为TaC等轴晶，外层为Ta2C柱状晶。本发明的碳化钽涂层具有结合强度高、抗腐蚀性能好、不易开裂等特点，可应用于第三代半导体单晶生长石墨坩埚涂层。
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公开(公告)号：CN119800522A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510078034.0
申请日：2025-01-17
Applicant: 深圳市铸安安全技术有限公司
Inventor： 请求不公布姓名
Abstract: 本发明公开了气浴结晶多层炉，本发明涉及气浴结晶技术领域。该气浴结晶多层炉，包括设备外壳，设备外壳的内表面设置有框架，设备外壳的外表面设置有PLC显示屏、电源指示灯、急停开关、空气开关、双开门、PLC控制屏和外部温控表，设备外壳的内部设置有加热腔体、第一丝杆驱动机构、第二丝杆驱动机构、水冷板、丝杆驱动器和丝杆开关电源，框架的内部设置有固定板和背板，固定板的上表面设置有控温溶剂瓶，控温溶剂瓶的顶部设置有第一导管，第一导管的外表面设置有第二导管，第二导管的端部设置有第三导管，本发明不仅可以加热产品，而且可以在加热过程中导入对应的气体，使气体在产品表面形成气浴结晶，自动化程度较高，工作效率也较高。
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公开(公告)号：CN116163017B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202310056705.4
申请日：2023-01-13
Applicant: 北京京运通科技股份有限公司
Inventor： 缪庆光
Abstract: 本申请公开了一种用于单晶炉的复投运料装置，包括第一运料机构、第二运料机构和振动机构。第一运料机构包括第一料仓和第一振筛下料滑道，第一料仓固定设置在第一振筛下料滑道上方。第二运料机构包括第二料仓和第二振筛下料滑道，第二料仓固定设置在第二振筛下料滑道上方，第二振筛下料滑道位于在第一振筛下料滑道上方，且第二振筛下料滑道的第一端与第一振筛下料滑道的第一端连接。振动机构包括振动器和架体，振动器固定设置在架体内，架体活动连接在第一振筛下料滑道的第一端，且架体位于第二振筛下料滑道下方，架体与第二振筛下料滑道的第一端活动连接。两个料仓可以分别对不同大小的物料进行下料，装置出料均匀，易于控制，可靠性高。
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公开(公告)号：CN119776997A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411978289.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 武汉金信新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种旋转碳化硅长晶炉感应加热系统及长晶炉，涉及碳化硅加工技术领域。包括炉体，用于加工碳化硅；加热组件，安装在所述炉体的内部，用于对碳化硅原材料加热；触发组件，安装在所述炉体的顶部，用于在运行时，触发加热组件以不同的功率运行；所述触发组件包括：升降部件，安装在所述炉体顶部的一端。本发明通过触发组件内升降部件在运行时，让导电销在加热组件内的限位管内转动，从而让电能触发加热电阻内不同的段落，进而实现对碳化硅原材料的精确加热，不仅提高了加热效率，而且通过精确控制加热电阻的工作段落，能够更加均匀地分配炉内的温度场，从而保证了晶体生长过程中的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN119776989A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510168223.7
申请日：2025-02-17
Applicant: 因康热处理设备(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶生长坩埚，它涉及碳化硅生长设备技术领域。它包括：坩埚本体和籽晶,其中坩埚本体包含坩埚桶、单晶生长环和坩埚盖。本发明在检碳化硅单晶制作过程中，由于设置了单晶生长环结构，使得碳化硅单晶在坩埚内生长时，即使于坩埚内壁处结晶，也仅限于单晶生长环处结晶，从而当整个生长过程完成后，除了单晶生长环以外的坩埚部分可以继续使用，所以降低了碳化硅单晶的制作成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119753854A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411954143.6
申请日：2024-12-27
Applicant: 山东力冠微电子装备有限公司
IPC: C30B35/00
Abstract: 本发明公开了一种坩埚托支撑轴装置，包括：支架，设有竖直方向的第一导向部件；上滑座，导引于所述第一导向部件，且上滑座设有座孔；转盘，通过轴承安装在所述座孔，并具有中心孔；支撑轴，用于支撑坩埚托；下滑座，导引于所述第一导向部件，所述支撑轴的下端通过回转副安装在所述下滑座上；第一驱动装置；以及第二驱动装置；上波纹管，上端用于与工艺腔室的下炉口间连接，下端与所述上滑座间连接，并与所述支撑轴共轴线。依据本发明的坩埚托支撑轴装置适应性相对比较好。
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公开(公告)号：CN119710929A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510227967.1
申请日：2025-02-27
Applicant: 浙江晶盛机电股份有限公司 , 宁夏创盛新材料科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，解决了现有技术碳化硅晶体扩径后表面质量降低的问题。本申请包括：坩埚本体，所述坩埚本体内设有第一区，所述第一区沿所述坩埚本体的内侧壁周向布置，且第一区朝背离所述坩埚本体侧壁的一侧连通有第二区；籽晶固定组件，所述籽晶固定组件包括两个夹持件，两个夹持件在竖直方向间隔设置以形成一第三区；以及加热组件，加热组件包括第一加热机构和第二加热机构。本申请通过调节第一加热机构与第二加热机构的功率比例使籽晶上下表面形成一定正饱和度，从而抑制上下表面的分解，减少表面缺陷，提高碳化硅晶体扩径后的表面均匀性。
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公开(公告)号：CN119287526B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411783481.8
申请日：2024-12-06
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种籽晶粘接用真空热压炉，涉及籽晶粘接技术领域，包括外壁上设置有抽气管和调压管的保温筒体、位于所述保温筒体内腔并带有加热器的上压盘以及承载盘，所述抽气管和所述调压管上均设有电动阀门，所述保温筒体的上端密封安装有驱动缸，且所述驱动缸的活动端位于所述保温筒体的内腔并与所述上压盘连接，所述保温筒体包括呈上下设置的保温顶板和保温底板以及半环板，所述半环板上转动设置有开合门，所述半环板和所述开合门为导热材料制成，还包括保温环板以及用于驱动所述保温环板进行上下运动的驱动单元。本真空热压炉内设置可自动上下运动的保温环板，可大幅缩短组合件散热时间，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN119593052A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411954341.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种助熔剂法氮化镓单晶生长连续加料装置及方法，装置包括压力平衡调节系统、高温高压腔体、晶体生长坩埚以及装有原料的高压腔体；高温高压腔体内设置晶体生长坩埚，晶体生长坩埚上方设置有原料预热管；装有原料的高压腔体与高温高压腔体之间设置有原料输送管路；通过压力平衡调节系统调节高压腔体与高温高压腔体内的压力，从而实现将高压腔体中的原料连续加入到高温高压腔体中。本发明中通过设置单晶生长腔与原料腔，根据单晶生长腔内原料的消耗量，采用压力平衡调节系统动态调节单晶生长腔与原料腔内气体压力差，实现单晶生长所需气体原料的补充以及液态原料的添加，进而实现晶体的连续发育，有助于实现大尺寸氮化镓单晶的生长。
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公开(公告)号：CN119571470A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510031097.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 晶澳(无锡)光伏科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种坩埚旋转装置及单晶炉，其中，坩埚旋转装置用于单晶炉，包括：旋转轴主体，旋转轴主体的内部形成有沿其轴向延伸的空腔，旋转轴主体的轴向一端开口，另一端封闭且与单晶炉的坩埚连接；导流环，导流环沿旋转轴主体的轴向延伸且至少部分同轴设置在旋转轴主体内部的空腔中，导流环的外壁与空腔的内壁之间形成外腔体，导流环的内部形成内腔体，外腔体与内腔体靠近坩埚的一端彼此连通，外腔体与内腔体靠近坩埚的一端彼此连通，外腔体与内腔体远离坩埚的一端彼此独立并且其中一个为进风口且另一个为出风口；风扇，风扇与外腔体或内腔体远离坩埚的一端连通。本申请的坩埚旋转装置，结构简单，操作方便，安全性和可靠性高，成本低。
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