本发明涉及电容薄膜技术领域，具体涉及一种双面结构均匀的金属化电容器用基膜及其制备方法。其中厚片依次经前辊、过渡辊和后辊向后运动且三辊与厚片的接触面相同，前辊和后辊的温度均为105℃~140℃，过渡辊温度为20℃~50℃。本发明显著优势体现在剥离辊组的改造，激冷辊与前辊保持同旋向，接触面同为厚片CR面，高于激冷辊温度的前辊和后辊温度与厚片CR面为接触式传热，对厚片CR面球晶施加退火处理，使厚片双面结晶均匀且接近为AK面的大尺寸球晶；该薄膜厚度2~5μm，两面粗化结构均匀且两面一致，双面Rz＞1300 nm，双面SSK≥0.5，有效耐压厚度提升，薄膜兼具出色的粗化表现和高耐压性能，适用于大部分金属化薄膜电容器。