Invention Publication
- Patent Title: 一种IBC电池及其制备方法
-
Application No.: CN202311371537.4Application Date: 2023-10-20
-
Publication No.: CN119866088APublication Date: 2025-04-22
- Inventor: 张寻寻 , 孙亚楠 , 章康平 , 王建明 , 介雷 , 胥星星 , 周锦凤 , 黄晨茹
- Applicant: 一道新能源科技股份有限公司
- Applicant Address: 浙江省衢州市百灵南路43号
- Assignee: 一道新能源科技股份有限公司
- Current Assignee: 一道新能源科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省衢州市百灵南路43号
- Agency: 北京润泽恒知识产权代理有限公司
- Agent 苏培华
- Main IPC: H10F71/00
- IPC: H10F71/00 ; H10F77/20 ; H10F77/14 ; H10F77/1223
Abstract:
本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例中，硼掺杂后对P区进行激光氧化，可以形成更加致密、阻挡性能更强的硼硅玻璃层掩膜，不仅使得所制备的p型掺杂区域具有高表面浓度、高钝化性能、低接触电阻的优点，也避免了阻挡或刻蚀浆料印刷带来的污染问题，且制作精度及产能更高，适合大批量生产。
Information query
