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公开(公告)号：CN119923022A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510122448.9
申请日：2025-01-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于解决的防热斑设计的图案化复杂，影响电池效率的问题。背接触电池，包括：基底，具有相对的第一面和第二面；第一掺杂部和第二掺杂部，沿第一方向交替排布且间隔设置于第一面，第一掺杂部和第二掺杂部沿第二方向延伸，第一掺杂部和第二掺杂部的导电类型相反，第一方向和第二方向相交；第三掺杂部，设置于第一面且位于第一掺杂部和第二掺杂部之间，第三掺杂部沿第二方向延伸，第三掺杂部与第二掺杂部的导电类型相同，第三掺杂部与第一掺杂部和第二掺杂部连通，第三掺杂部的厚度小于第二掺杂部的厚度和/或第三掺杂部的掺杂浓度小于第二掺杂部的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN119923020A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510120977.5
申请日：2025-01-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种背接触电池，所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂层、第二掺杂层和电极接触部，所述电极接触部设置于所述第一掺杂层上面；所述第一掺杂层的主体部和所述第二掺杂层的主体部交替间隔分布在所述半导体基底的背光面，所述第一掺杂层的第一区域和所述第二掺杂层的第一区域之间电性连接，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的导电类型相反；其中，在所述半导体基底的背光面上形成有至少一个凹陷结构，所述至少一个凹陷结构设置于所述电极接触部与电性连接处之间。本发明还提供了一种光伏组件。本发明的背接触电池通过形成凹陷结构，进一步降低背接触电池的热斑风险。
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公开(公告)号：CN119923015A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510159002.3
申请日：2025-02-13
Applicant: 南京工业大学
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F30/222 , B82Y40/00 , H10F77/12
Abstract: 本发明公开一种基于双光活化层的超灵敏光电晶体管。本发明所述光电晶体管自下而上依次由栅电极（Si）、介质层（HfO2）、光活化离子层（PbI2）、沟道（WSe2）和源漏电极（Au）构成。本发明所述光电晶体管展现出极高的灵敏度优势：一方面，其满足极弱光环境下的测试需求，其探测的暗场光强比商用光电晶体管低4个数量级；另一方面，其响应度相较于商用产品高出4个数量级。本发明首次将PbI2这一光活化离子层引入传统基于传统二维材料的光电晶体管结构中，极大地提升了器件的灵敏度，为极暗场探测技术的发展提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN119325292B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411875080.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南汇思光电科技有限公司
IPC: H10F30/225 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、渐变掺杂多量子阱吸收层、电场调控层层、倍增层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触层上，所述n接触设于所述n型接触层上，通过使用渐变掺杂多量子阱结构作为吸收层来分离光生电子和光生空穴，可减少噪声，提高雪崩光电二极管的灵敏度和速率。
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公开(公告)号：CN116995118B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311245663.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 无锡华晟光伏科技有限公司 , 安徽华晟新能源科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种太阳能电池及其制备方法，其中，太阳能电池包括：半导体衬底层；第一钝化层，第一掺杂半导体层；第一载流子收集层，采用导电材料且位于第一钝化层和第一掺杂半导体层之间；第一透明导电层；其中，第一掺杂半导体层的导电类型与半导体衬底层的导电类型相同，第一掺杂半导体层相对于半导体衬底层所在侧为太阳能电池的向光面。所述太阳能电池的光电转换效率得到提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119908181A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380068863.X
申请日：2023-09-26
Applicant: IHP有限责任公司-莱布尼茨高性能微电子研究所/莱布尼茨创新微电子研究所
IPC: H10F30/223 , H10F77/40 , H10F77/122 , H10F77/14 , H10F71/00 , G02B6/12
Abstract: 本发明涉及一种用于探测电磁辐射的光电探测器。光电探测器包括横向光电二极管和SiN波导。横向光电二极管包括原位p掺杂接触区（112）、原位n掺杂接触区（114）以及沿横向堆叠方向（109）夹在p掺杂接触区和n掺杂接触区之间的本征掺杂光敏区（108）。SiN波导（102）包括SiN并且被配置为沿着传播方向（104）引导电磁辐射，SiN波导沿着垂直于横向堆叠方向（109）的垂直堆叠方向（107）布置在横向光电二极管的顶部。光敏区的至少一部分和SiN波导的至少一部分形成公共上界面（116），在该公共上界面处光敏区与SiN波导直接接触。此外，光敏区（108）沿着横向堆叠方向具有300nm或更小的横向宽度（110）。
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公开(公告)号：CN119894154A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510032806.7
申请日：2025-01-09
Applicant: 英利能源发展有限公司
Abstract: 本发明公开一种矩形光伏电池及光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，矩形光伏电池的电池基体上设若干主栅线，电池基体的主栅线所在方向为长度方向；电池基体的长度Lc为180mm+Xmm，X的取值为0mm‑6.477mm；电池基体的宽度Wc为210mm+Ymm，Y的取值为0mm‑2.367mm；电池基体上设置有二等分分割线，二等分分割线设于电池基体的中部，且垂直于电池基体的主栅线方向。光伏组件包括若干电池串，电池串中的电池片为矩形光伏电池沿其二等分分割线切割得到的半片电池。采用本发明所设计矩形光伏电池及光伏组件设计参数，在同尺寸光伏电池条件下，单块组件的长度和宽度均能达到行业可接受尺寸最大值，且主栅数量可以增加至18‑32根，有利于电池光生电子的收集与传输，提升光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119894152A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510160836.6
申请日：2025-02-13
Applicant: 无锡江松科技股份有限公司
Inventor： 陈德超
IPC: H10F71/10 , H10F77/20 , H10F77/1223 , H10F77/14 , H10F10/166
Abstract: 本发明公开了一种钝化接触式背接触太阳电池及其制备方法，电池包含晶体硅基体，晶体硅基体的正面为钝化减反层，背面从内到外依次为第一隧穿层、第一多晶硅层、第二隧穿层、第二多晶硅层、钝化层和金属电极，其中，第一多晶硅层包含第一n+多晶硅区、第一p+多晶硅区和第一隔离区，第二多晶硅层包含第二n+多晶硅区、第二p+多晶硅区和第二隔离区，且第一p+多晶硅区中硼元素的掺杂浓度低于第二p+多晶硅区中硼元素的掺杂浓度，第一n+多晶硅区中磷元素的掺杂浓度低于第二n+多晶硅区中磷元素的掺杂浓度。本发明的电池在背面采用双层隧穿多晶硅结构，可以同时满足低金属接触复合、低非金属接触区域复合和低接触电阻率。
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公开(公告)号：CN119894127A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411743616.8
申请日：2024-11-30
Applicant: 昆明物理研究所
IPC: H10F39/10 , H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/42 , H10F77/14 , H10F77/30 , H01L23/544 , G01N21/25 , G01N21/35 , G01N21/01 , G01N21/33 , G01N21/359 , G01N21/3581 , G01N21/3504 , G01N21/73
Abstract: 本发明涉及一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法，属于铟镓砷探测器技术领域。所述方法通过InP缓冲层、InAsyP1‑y过渡层、InxGa1‑xAs吸收层和N型InAsyP1‑y帽层的设计，制备得到了可室温工作的宽波段，即0.9μm～2.5μm的多光谱铟镓砷探测器；通过将多光谱滤光片阵列集成至铟镓砷探测器背面，实现多个通道的多光谱成像；通过采用电感耦合等离子体化学气相沉积原子层沉积钝化膜并控制沉积条件，实现有效降低器件的暗电流；通过将InP衬底减薄有效抑制了像素之间的波段串扰；通过在减薄后的InP衬底表面沉积背增透膜，实现了减少背面反射，增加透过率；利用对准标记和对准结构，采用倒焊机将读出电路与滤光片倒装对准，实现了滤光片与器件的高精度对准集成，对准精度优于2μm，大大增加了对准精度，且便于操作，在多光谱探测器领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119894120A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510263218.4
申请日：2025-03-05
Applicant: 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 , 浙江爱旭太阳能科技有限公司 , 广东爱旭科技有限公司 , 深圳爱旭数字能源技术有限公司 , 滁州爱旭太阳能科技有限公司 , 天津爱旭太阳能科技有限公司
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件和光伏系统，背接触电池组件包括若干电池串单元，电池串单元的电池串中覆盖有绝缘条和汇流条的背接触电池片为第一电池片，未覆盖有绝缘条和汇流条的背接触电池片为第二电池片。第一电池片在第一方向上的长度W满足以下关系式：W≥W0+D1+(1‑a％)*(D2‑D1)。如此，一方面，通过将绝缘条和汇流条设置在电池串的背接触电池片的背面，可以提高组件的有效受光面积，提高组件的美观度。另一方面，通过对覆盖有绝缘条和汇流条的第一电池片的尺寸进行上述的特殊设计，将被绝缘条和汇流条覆盖的第一电池片在第一方向上尺寸进行相应的增大，可以提高组件的双面率，保证组件的功率。
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