本发明公开了一种层数可控的二维扭角MoS2及其制备方法，所述方法采用化学气相沉积法，在不同温度下，结合硫源的定位调控，可以进一步调节MoS2的层数，得到了不同层数的多层扭角MoS2材料。该方法工艺简单，成本低廉，所制备的多层扭角MoS2表面质量高，表面均匀平整，无二次成核点。层数依赖的扭角结构可额外增加二维扭角材料的层间扭转自由度，有望使得与平带相关的物理现象出现在更宽的扭转角度范围，为探索扭转角依赖的物理现象和性能提供了材料基础。