本发明公开了一种非EUV技术的亚纳米节点晶体管的制备方法，通过将晶体管的源电极、漏电极、电极隔绝层分三步制作，使源、漏电极间距由隔绝层厚度来决定，实现1至10纳米超短沟道长度的晶体管。本发明针对EUV光刻方案单次精度低、设备昂贵等问题，利用半导体与电极之间的表面亲水性差异，实现介质在电极侧壁的侧向ALD生长，作为电极隔绝层，通过介质生长厚度来控制晶体管的沟道长度；由于ALD方法对介质厚度的控制优势，单次工艺精度为1纳米，远优于现有EUV光刻设备的单次工艺精度，大大简化微电子制造工艺流程，提高器件良率。