本发明提供了一种晶圆的研磨抛光加工方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1、采用边缘塌边工艺对晶圆进行一次磨削，获取半成品晶圆；S2、采用边缘凸起工艺对半成品晶圆进行二次磨削，修正半成品晶圆的厚度偏差，获取晶圆成品；步骤S1中的边缘塌边工艺和步骤S2中的边缘凸起工艺的顺序可调。本发明提供的晶圆的研磨抛光加工方法，将现有的单次研磨改为两次研磨，通过对两种研磨方法的不同加工效果进行叠加，将单次研磨加工带来的单向偏差互相抵消，从而实现更低的晶圆中心区域与边缘区域厚度偏差的加工效果，提高了晶圆表面质量的均匀性。