本实用新型提供一种栅极电压的振荡得到了抑制的半导体模块。在提供的半导体模块中，晶体管元件具备半导体基板、设置于半导体基板上的层间绝缘膜、以及设置于层间绝缘膜上的发射电极，半导体基板具有第一沟槽部以及至少一部分在正面露出并被第一沟槽部包围的第一导电型的浮置半导体区，层间绝缘膜具有用于将发射电极与浮置半导体区电连接的多个开口，晶体管元件具有10Ω以上的内置栅极电阻，半导体基板具有100μm以上且130μm以下的厚度，续流二极管元件具有SiC的肖特基势垒二极管。