Es werden Klemmbauelemente für elektrostatische Entladung beschrieben. Bei einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterbauelement (100) einen ersten Transistor (101), wobei der erste Transistor eine erste Source-/Drainelektrode und eine zweite Source-/Drainelektrode enthält, wobei die erste Source-/Drainelektrode an einen ersten Potentialknoten (VDD) gekoppelt ist und wobei die zweite Source-/Drainelektrode an einen zweiten Potentialknoten (VSS) gekoppelt ist. Das Bauelement (100) enthält weiterhin einen ODER-Logikblock (42), wobei ein erster Eingang des ODER-Logikblocks (42) an den ersten Potentialknoten (VDD) durch einen Kondensator (20) gekoppelt ist, wobei der erste Eingang des ODER-Logikblocks (42) an das zweite Potential (VSS) mittels eines Widerstands (10) gekoppelt ist und wobei ein zweiter Eingang des ODER-Logikblocks (42) an einen Substraterfassungsknoten des ersten Transistors (101) gekoppelt ist.