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    Fin-type resistance element gate-controlled for using as an electrostatic discharge protection element in electric circuit, and protection device for protecting inside of electric circuit from electrostatic discharge
    2.
    发明专利
    Fin-type resistance element gate-controlled for using as an electrostatic discharge protection element in electric circuit, and protection device for protecting inside of electric circuit from electrostatic discharge 有权
    用于在电路中用作静电放电保护元件的栅型控制元件，以及用于保护电绝缘体从静电放电中保护的保护装置

    公开(公告)号：JP2007053387A

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：JP2006223122

    申请日：2006-08-18

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： GOSSNER HARALD ,  RUSS CHRISTIAN

    IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/8086 ,  H01L2029/7857

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a miniaturized electric circuit in which a protection of an electric discharge is assured. SOLUTION: A fin-type resistance element gate-controlled for being used as an electrostatic discharge protection element in an electric circuit comprises a fin structure having a first terminal region, a second terminal region, and a channel region formed between the first and second terminal regions. The fin-type resistance element further comprises a gate region formed on at least a part of an upper surface of the channel region. The gate region is electrically connected to a gate controlling part. By controlling an electric potential applied to the gate region, the gate controlling part makes an electric resistance of the gate-controlled fin-type resistance element light while the electric circuit is in a first operation state, and the gate controlling part lowers the electric resistance while the electric circuit is in a second operation state characterized by the start of an electrostatic discharge phenomenon. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供确保放电保护的小型化电路。 栅极控制用于在电路中用作静电放电保护元件的鳍式电阻元件包括鳍结构，其具有第一端子区域，第二端子区域和形成在第一端子区域之间的沟道区域 和第二终端区域。 翅片型电阻元件还包括形成在沟道区域的上表面的至少一部分上的栅极区域。 栅极区域电连接到栅极控制部分。 通过控制施加到栅极区域的电位，栅极控制部分在电路处于第一操作状态的同时使栅极控制的鳍式电阻元件的电阻成为光，并且栅极控制部件降低电阻 而电路处于以静电放电现象开始为特征的第二操作状态。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007054028A1

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：DE102007054028

    申请日：2007-11-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RUSS CHRISTIAN ,  GOSSNER HARALD ,  SCHULZ THOMAS

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    Abstract: A field effect transistor with a fin structure having a first and a second source/drain region; a body region formed within the fin structure and between the first and the second source/drain region; a metallically conductive region formed within a part of the first source/drain region, the metallically conductive region being adjacent to the body region or to a lightly doped region disposed between the body region and the first source/drain region; and a current ballasting region formed within a part of the second source/drain region.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004009981B4

    公开(公告)日：2005-12-29

    申请号：DE102004009981

    申请日：2004-03-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STREIBL MARTIN ,  ESMARK KAI ,  RUSS CHRISTIAN ,  WENDEL MARTIN ,  GOSNER HARALD

    IPC: H01L23/60 ,  H02H9/00 ,  H02H9/02

    Abstract: An ESD protective circuit protects an input or output of a monolithically integrated circuit. The ESD protective circuit has at least one bipolar transistor structure and one ESD protective element between two supply networks. The emitter of the bipolar transistor structure is electrically connected to the input or output, while the base is electrically connected to one of the two supply networks. The collector produces a current signal, which is used for triggering of the ESD protective element, when an ESD load occurs at the input or output.

    Halbleiterbauelement als MuGFET mit erhöhter Wärmemasse und Verfahren zu dessen Herstellung
    8.
    发明专利
    Halbleiterbauelement als MuGFET mit erhöhter Wärmemasse und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102007063857B3

    公开(公告)日：2017-07-13

    申请号：DE102007063857

    申请日：2007-11-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHNEIDER JENS ,  GOSSNER HARALD ,  RUSS CHRISTIAN ,  SCHULZ THOMAS

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/367

    Abstract: Halbleiterbauelement (10), umfassend: – eine Source-Zone (16); – eine Drain-Zone (12); – eine Anordnung von Finnen (18), die zum Ermöglichen eines Stromflusses durch die Finnen (18) zwischen der Source-Zone (16) und der Drain-Zone (12) ausgebildet ist; – eine Gate-Zone (22), mit der die Finnen (18) operativ gekoppelt sind und die dazu ausgebildet ist, den Stromfluss durch die Finnen (18) zwischen der Source-Zone (16) und der Drain-Zone (12) zu steuern, und – mindestens ein Kühlelement (28; 30; 36; 40; 42; 44), das wenigstens zum Teil aus einem Material geformt ist, das eine Wärmekapazität hat, die gleich oder größer ist als die Wärmekapazität des Materials der Source-Zone, der Drain-Zone und der Anordnung von Finnen (18), wobei das Kühlelement (28; 30; 36; 40; 42; 44) sich in nächster Nähe zu und seitlich in dem Raum zwischen benachbarten Finnen (18) oder über den Finnen (18) befindet und von den Finnen (18), der Source-Zone (16) und der Drain-Zone (12) elektrisch isoliert ist.

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