PROCESSO PER LA FORMAZIONE DI STRUTTURE DI ISOLAMENTO A

Invention Patent

ITRM20030255A1 PROCESSO PER LA FORMAZIONE DI STRUTTURE DI ISOLAMENTO A 未知

Patent Title: PROCESSO PER LA FORMAZIONE DI STRUTTURE DI ISOLAMENTO A
Application No.: ITRM20030255

Application Date: 2003-05-26
Publication No.: ITRM20030255A1

Publication Date: 2004-11-27
Inventor: BEGHIN LORENA KATIA , MARIANI MARCELLO , PICCOLO DONATA , SAVARDI CHIARA
Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL
Assignee: ST MICROELECTRONICS SRL
Current Assignee: ST MICROELECTRONICS SRL
Priority: ITRM20030255 2003-05-26
Main IPC: H01L
IPC: H01L20060101 ; H01L21/762

Public/Granted literature

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）