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Invention Grant
US08637916B2 Semiconductor device with mini SONOS cell 有权
具有迷你SONOS单元的半导体器件

  • Patent Title: Semiconductor device with mini SONOS cell
  • Patent Title (中): 具有迷你SONOS单元的半导体器件
  • Application No.: US12758767
    Application Date: 2010-04-12
  • Publication No.: US08637916B2
    Publication Date: 2014-01-28
  • Inventor: Ya Ya Sun
  • Applicant: Ya Ya Sun
  • Applicant Address: TW Science-Based Industrial Park, Hsin-Chu
  • Assignee: United Microelectronics Corp.
  • Current Assignee: United Microelectronics Corp.
  • Current Assignee Address: TW Science-Based Industrial Park, Hsin-Chu
  • Agent Winston Hsu; Scott Margo
  • Main IPC: H01L29/78
  • IPC: H01L29/78
Semiconductor device with mini SONOS cell
Abstract:
A semiconductor device with mini silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (mini-SONOS) cell is disclosed. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a shallow trench isolation (STI) embedded in the semiconductor substrate; a logic device partially overlapping the STI; and a SONOS cell formed in the overlapped region of the logic device and the STI.
Abstract(Chinese):

公开了一种具有微型氧化硅 - 氧化物 - 氧化物 - 硅（迷你SONOS）电池的半导体器件。 半导体器件包括：半导体衬底; 嵌入在半导体衬底中的浅沟槽隔离（STI）; 与STI部分重叠的逻辑器件; 以及形成在逻辑器件和STI的重叠区域中的SONOS单元。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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