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公开(公告)号：CN119895683A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202280100032.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 提供半导体开关装置，削减与电线温度的准确估计相关的资源，并且廉价且高精度地进行负载电流的平方累计、电线温度估计。在一个或多个实施例的半导体开关装置(200)中，包含：开关部(206、201和202)，其连接在从半导体开关装置(200)的外部连接的电源(300)与经由了电线的负载(400)之间，接通/断开向负载的电力供给；负载电流检测部(203和204)，其检测在开关部(206、201和202)中流过的负载电流；以及平方运算部(205)，其输出由电流检测部(203和204)检测出的负载电流值的平方值。开关部(206)从外部接收控制指令，根据控制指令，接通/断开向所述负载的电力供给。
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公开(公告)号：CN119675499A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411207550.0
申请日：2024-08-30
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 吉田徹
Abstract: 本发明提供马达驱动装置、半导体装置，能够同时实现静音化和稳定启动。一种马达驱动装置(10)，其驱动能够通过3个位置检测元件每隔60度检测转子的机械角的DC马达(1)，该马达驱动装置(10)具有：三相桥结构的逆变器(12)，其将DC电源输入(VBB)转换为交流的驱动电力而供给到DC马达(1)；以及启动控制部(151)，其以180度通电矩形波驱动对逆变器(12)进行驱动控制，来作为启动时的启动动作，其中，所述180度通电矩形波驱动是使120度通电矩形波的通电区间向超前方向扩展60度或使120度通电矩形波的通电区间向滞后方向扩展60度而生成的。
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公开(公告)号：CN119496360A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411075376.9
申请日：2024-08-07
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 早川章
IPC: H02M1/00 , H02M1/10 , H02M7/04 , H02M3/24 , G01R19/165
Abstract: 本发明涉及输入电压判定电路、开关电源装置、半导体装置。提供输入电压判定电路，能够在不将交流输入电压用作判定用电压的情况下，使用初次的导通脉宽(TON)，判定交流输入电压是低压系、还是高压系。一种输入电压判定电路(17)，其判定向反激式的开关电源装置供给的交流输入电压是低压系、还是高压系，所述反激式的开关电源装置在电流模式下根据反馈信号(VFB)，控制开关元件(Q1)的导通脉宽(TON)，其中，在初次的导通脉宽(TON)小于预先设定的判定期间的情况下，该输入电压判定电路(17)判定为是高压系，在初次的导通脉宽(TON)为所述判定期间以上的情况下，该输入电压判定电路(17)判定为是低压系。
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公开(公告)号：CN119298671A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410856900.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 麻生真司
Abstract: 本发明涉及有源钳位反激式转换器以及控制IC。ACF转换器(10)具有：变压器(T)，具有与初级绕组(Np)电磁耦合的次级绕组(Ns)；第1串联电路，在直流电源(Vin)的两端串联连接有初级绕组(Np)和主开关(QL)；第2串联电路，在初级绕组(Np)的两端串联连接有开关(QH)和电容器(Cac)；控制部(100a)，使主开关(QL)和开关(QH)接通断开；次级绕组的整流平滑电路；输出电压检测部，检测该电路的输出电压。控制部具有使主开关接通断开的第1驱动信号及在主开关断开期间使开关(QH)接通断开的第2及第3驱动信号，控制从第1驱动信号的断开到第2驱动信号的接通为止的第1断开期间和从第2驱动信号的断开到第3驱动信号的接通为止的第2断开期间。
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公开(公告)号：CN119008658A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410600741.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 松田成修
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 提供半导体装置。半导体装置(1)具有：第1导电型第1半导体区域(10)；第2导电型第2半导体区域(16)，形成于第1半导体区域上方；半导体元件区域(100)，具有贯穿第2半导体区域(16)且隔着绝缘膜(38)形成有栅极电极(14)的第1沟槽结构(12A)；第2导电型第3半导体区域(17)，在俯视观察时以与第2半导体区域(16)电连接的方式设置于半导体元件区域外侧；栅极电阻区域(200)，具有贯穿第3半导体区域(17)且隔着绝缘膜(40)形成有栅极电阻(26)的第2沟槽结构(12G)。第3半导体区域(17)的深度(DP)比第2半导体区域(16)的深度(DB)深且比第2沟槽结构(12G)的沟槽深度(DG)浅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112585873B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201880096431.9
申请日：2018-09-25
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 林秀树
Abstract: 提供模拟数字转换器，能够满足较高的解析度的AD转换和针对多个模拟信号的较低的解析度的AD转换双方的需求。具有：单位电路(101)、(102)，它们利用连接在VCC与GND之间的串联电阻电路(11)生成具有相等的电位间隔的多个参考电压，并且与所输入的模拟信号分别进行比较，由此转换为数字值；以及加法器(20)，其将由单位电路(101)、(102)分别进行转换而得到的数字值相加，并具有：连结开关(第1开关SW、第2开关SW2和第4开关SW4)，它们将单位电路(101)、(102)的串联电阻电路(11)连结而连接在VCC与GND之间；以及共用开关(第3开关SW3)，其用于在单位电路(101)、(102)中共用所输入的模拟信号。
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公开(公告)号：CN118249689A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211661427.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 三垦电气株式会社 , 台湾三垦电气股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种电流检测方法和装置，电机控制器以及电机驱动装置，该电流检测装置包括：电流检测部，其用于检测电机的相电流；计算部，其周期性地根据预定时间内检测的所述相电流确定电流偏移量；确定部，其根据所述电流偏移量对检测的所述相电流进行补偿，确定补偿后的相电流。
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公开(公告)号：CN111785694B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910271303.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN112889158B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201880098704.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 小川嘉寿子
Abstract: 半导体装置具备在主面界定出元件区域(120)的半导体基体(10)，具有配置于槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的外周沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而配置于周边区域(120)。外周沟槽(20)的导电体膜(22)被设定为比形成于元件区域(110)的半导体元件的负侧的主电极的电位高的电位。(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域
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