公开(公告)号：CN119008658A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410600741.7

申请日：2024-05-15

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松田成修

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半导体装置。半导体装置(1)具有：第1导电型第1半导体区域(10)；第2导电型第2半导体区域(16)，形成于第1半导体区域上方；半导体元件区域(100)，具有贯穿第2半导体区域(16)且隔着绝缘膜(38)形成有栅极电极(14)的第1沟槽结构(12A)；第2导电型第3半导体区域(17)，在俯视观察时以与第2半导体区域(16)电连接的方式设置于半导体元件区域外侧；栅极电阻区域(200)，具有贯穿第3半导体区域(17)且隔着绝缘膜(40)形成有栅极电阻(26)的第2沟槽结构(12G)。第3半导体区域(17)的深度(DP)比第2半导体区域(16)的深度(DB)深且比第2沟槽结构(12G)的沟槽深度(DG)浅。

公开(公告)号：CN106548922A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201510761493.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松田成修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: 一种半导体装置，其用于解决如下问题：当水分从半导体装置的外部侵入到硅玻璃(BPSG)膜上表面时，露出的硅玻璃(BPSG)膜的膜内含有的磷游离，腐蚀附近的源极电极和总线这样的以Al为主材料的电极的表面，导致源极电极和总线等电极的可靠性降低。其特征在于，层间膜包括：磷扩散防止膜，其防止磷的扩散；硅玻璃膜，其位于磷扩散防止膜上方且含有磷；以及磷扩散防止膜，其位于含有磷的硅玻璃膜上方。

公开(公告)号：CN106548922B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201510761493.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松田成修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: 一种半导体装置，其用于解决如下问题：当水分从半导体装置的外部侵入到硅玻璃(BPSG)膜上表面时，露出的硅玻璃(BPSG)膜的膜内含有的磷游离，腐蚀附近的源极电极和总线这样的以Al为主材料的电极的表面，导致源极电极和总线等电极的可靠性降低。其特征在于，层间膜包括：磷扩散防止膜，其防止磷的扩散；硅玻璃膜，其位于磷扩散防止膜上方且含有磷；以及磷扩散防止膜，其位于含有磷的硅玻璃膜上方。

公开(公告)号：CN102484131B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080037940.8

申请日：2010-08-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松田成修

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 半导体装置(100)具备元件区域和外周区域，元件区域具有：具有第一导电型的第一半导体层(1)；在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层(2)；在第二半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的第三半导体层(3)；以及贯通第二半导体层和第三半导体层并到达第一半导体层的内部的多个栅极沟槽(11)，外周区域具有：在元件区域的周围，贯通第二半导体层及第三半导体层，并到达第一半导体层内的多个外周沟槽(14)；以及在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的终端层(6)，还具备半导体基体(10)，半导体基体(10)具有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及终端层，在第一半导体层的表面侧，第一半导体层未露出于表面。

公开(公告)号：CN102484131A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037940.8

申请日：2010-08-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 松田成修

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 半导体装置(100)具备元件区域和外周区域，元件区域具有：具有第一导电型的第一半导体层(1)；在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层(2)；在第二半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的第三半导体层(3)；以及贯通第二半导体层和第三半导体层并到达第一半导体层的内部的多个栅极沟槽(11)，外周区域具有：在元件区域的周围，贯通第二半导体层及第三半导体层，并到达第一半导体层内的多个外周沟槽(14)；以及在第一半导体层的表面形成为岛状，并具有第一导电型的终端层(6)，还具备半导体基体(10)，半导体基体(10)具有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及终端层，在第一半导体层的表面侧，第一半导体层未露出于表面。