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公开(公告)号：CN104412706A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380031524.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 须贺唯知 , 网络技术服务株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/56 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 本申请发明的目的在于提供一种电子元件的封装方法，在有机EL元件等的电子元件的封装方法中，抑制水、氧等的外部空气经由利用有机材料形成的封装部(围坝部)或者封装部与盖体基板之间的接合界面而透过，并适用能够以较低的温度进行接合的常温接合法。电子元件的封装方法的方法包括如下工序：封装部形成工序，在形成有电子元件的第一基板的表面上，以比该电子元件的厚度大的厚度包围该电子元件地形成包含有机材料的封装部；第一无机材料层形成工序，至少在上述封装部的暴露表面形成第一无机材料层；以及基板接合工序，将第一基板上的封装部与第二基板的接合部位彼此按压，从而将第一基板与第二基板接合。
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公开(公告)号：CN103460339A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017012.4
申请日：2012-01-30
Applicant: 须贺唯知 , 邦德泰克株式会社 , 网络技术服务株式会社
CPC classification number: B32B38/08 , B23K1/20 , B23K20/24 , B23K2101/36 , B32B7/04 , H01J37/317 , H01J2237/08 , H01J2237/202 , H01J2237/3165 , H01L21/02046 , H01L21/2007 , H01L21/302 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/76251 , H01L23/147 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种应用范围较广的基板接合技术。在接合面内形成硅薄膜，并利用能量粒子、金属粒子对基板与基板之间的交界处进行表面处理。
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公开(公告)号：CN113228825A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980079913.8
申请日：2019-12-02
Applicant: 网络技术服务株式会社
Inventor： 松本好家
Abstract: 一种电子器件的密封方法，包括：准备器件基板，上述器件基板具有用于器件形成的腔室、包围腔室且比腔室高地形成的缘部及形成于缘部(的一部分)的电极取出用的槽；准备盖体基板；在器件基板的腔室内形成电子器件；将来自电子器件的引出配线形成于槽内；在器件基板和盖体玻璃的表面，至少在器件基板的缘部的表面和盖体基板的表面的供器件基板的缘部接合的部分形成无机材料薄膜；及经由无机材料薄膜而将器件基板与盖体基板接合。
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公开(公告)号：CN104245280A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380019398.7
申请日：2013-04-09
Applicant: 须贺唯知 , 网络技术服务株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B29C59/14 , B29C65/1432 , B29C65/1467 , B29C66/028 , B29C66/1122 , B29C66/45 , B29C66/71 , B29C66/712 , B29C66/72321 , B29C66/72325 , B29C66/72326 , B29C66/73161 , B29C66/7373 , B29C66/7392 , B29C66/73921 , B29C66/7394 , B29C66/73941 , B29C66/74 , B29C66/7461 , B29C66/74611 , B29C66/7465 , B29C66/8221 , B29C66/83241 , B29C66/83413 , B32B15/09 , B32B17/064 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/36 , B32B37/0076 , B32B37/02 , B32B37/182 , B32B37/203 , B32B37/24 , B32B38/00 , B32B2037/0092 , B32B2037/243 , B32B2250/03 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2307/546 , B32B2309/68 , B32B2310/0881 , B32B2457/20 , B32B2457/206 , C08J5/12 , Y10T156/10 , Y10T428/31681 , B29K2067/003 , B29K2079/08 , B29K2067/00 , B29K2067/006
Abstract: 本发明提供一种不使用有机系粘接剂、而是在低温下以低成本将高分子薄膜牢固地接合在其他高分子薄膜或玻璃基板上的方法。一种接合高分子薄膜的方法，其中，该方法包括以下步骤：在第一高分子薄膜上的局部或整个第一高分子薄膜上形成第一无机材料层的步骤(S1)；在第二高分子薄膜上的局部或整个第二高分子薄膜上形成第二无机材料层的步骤(S3)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第一无机材料层的表面来对第一无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S2)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第二无机材料层的表面来对第二无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S4)；以及使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面抵接于表面活性化处理后的第二无机材料层的表面来接合第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的步骤(S5)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104412706B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380031524.0
申请日：2013-06-14
Applicant: 须贺唯知 , 网络技术服务株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/56 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 本申请发明的目的在于提供一种电子元件的封装方法，在有机EL元件等的电子元件的封装方法中，抑制水、氧等的外部空气经由利用有机材料形成的封装部(围坝部)或者封装部与盖体基板之间的接合界面而透过，并适用能够以较低的温度进行接合的常温接合法。电子元件的封装方法的方法包括如下工序：封装部形成工序，在形成有电子元件的第一基板的表面上，以比该电子元件的厚度大的厚度包围该电子元件地形成包含有机材料的封装部；第一无机材料层形成工序，至少在上述封装部的暴露表面形成第一无机材料层；以及基板接合工序，将第一基板上的封装部与第二基板的接合部位彼此按压，从而将第一基板与第二基板接合。
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公开(公告)号：CN103460339B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280017012.4
申请日：2012-01-30
Applicant: 须贺唯知 , 邦德泰克株式会社 , 网络技术服务株式会社
CPC classification number: B32B38/08 , B23K1/20 , B23K20/24 , B23K2101/36 , B32B7/04 , H01J37/317 , H01J2237/08 , H01J2237/202 , H01J2237/3165 , H01L21/02046 , H01L21/2007 , H01L21/302 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/76251 , H01L23/147 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种应用范围较广的基板接合技术。在接合面内形成硅薄膜，并利用能量粒子、金属粒子对基板与基板之间的交界处进行表面处理。
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公开(公告)号：CN111655490B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880087846.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 网络技术服务株式会社 , 须贺唯知
IPC: B32B37/26 , B29C65/02 , B32B9/00 , C03C27/10 , C23C14/08 , C23C14/46 , C23C16/455 , H10K71/16 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 基板的接合方法具备：在至少一个为透明基板的一对基板中的两个或任意一个的接合表面上形成金属氧化物的薄膜的步骤；和经由金属氧化物的薄膜使一对基板的接合面相互接触的步骤。
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公开(公告)号：CN111655490A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087846.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 网络技术服务株式会社 , 须贺唯知
IPC: B32B37/26 , B29C65/02 , B32B9/00 , C03C27/10 , C23C14/08 , C23C14/46 , C23C16/455 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 基板的接合方法具备：在至少一个为透明基板的一对基板中的两个或任意一个的接合表面上形成金属氧化物的薄膜的步骤；和经由金属氧化物的薄膜使一对基板的接合面相互接触的步骤。
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公开(公告)号：CN104245280B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380019398.7
申请日：2013-04-09
Applicant: 须贺唯知 , 网络技术服务株式会社
CPC classification number: B32B15/08 , B29C59/14 , B29C65/1432 , B29C65/1467 , B29C66/028 , B29C66/1122 , B29C66/45 , B29C66/71 , B29C66/712 , B29C66/72321 , B29C66/72325 , B29C66/72326 , B29C66/73161 , B29C66/7373 , B29C66/7392 , B29C66/73921 , B29C66/7394 , B29C66/73941 , B29C66/74 , B29C66/7461 , B29C66/74611 , B29C66/7465 , B29C66/8221 , B29C66/83241 , B29C66/83413 , B32B15/09 , B32B17/064 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/36 , B32B37/0076 , B32B37/02 , B32B37/182 , B32B37/203 , B32B37/24 , B32B38/00 , B32B2037/0092 , B32B2037/243 , B32B2250/03 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2307/546 , B32B2309/68 , B32B2310/0881 , B32B2457/20 , B32B2457/206 , C08J5/12 , Y10T156/10 , Y10T428/31681 , B29K2067/003 , B29K2079/08 , B29K2067/00 , B29K2067/006
Abstract: 本发明提供一种不使用有机系粘接剂、而是在低温下以低成本将高分子薄膜牢固地接合在其他高分子薄膜或玻璃基板上的方法。一种接合高分子薄膜的方法，其中，该方法包括以下步骤：在第一高分子薄膜上的局部或整个第一高分子薄膜上形成第一无机材料层的步骤(S1)；在第二高分子薄膜上的局部或整个第二高分子薄膜上形成第二无机材料层的步骤(S3)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第一无机材料层的表面来对第一无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S2)；通过使具有预定的动能的粒子撞击第二无机材料层的表面来对第二无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤(S4)；以及使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面抵接于表面活性化处理后的第二无机材料层的表面来接合第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的步骤(S5)。
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