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公开(公告)号：CN114242678A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110723356.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 公开了半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括第一再分布基板和位于所述第一再分布基板上的第一半导体器件。所述第一再分布基板包括：第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔；下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分；外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并且通过所述第一孔连接到所述下凸块；润湿层，所述润湿层位于所述外部连接端子与所述下凸块之间；和第一阻挡/晶种层，所述第一阻挡/晶种层位于所述下凸块与所述第一电介质层之间以及所述下凸块与所述润湿层之间。
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