-
公开(公告)号：CN117936502A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310750217.3
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种包括下部结构和上部结构的半导体封装件。下部结构包括第一半导体衬底、垂直地穿过第一半导体衬底的第一贯通通路、连接到第一贯通通路的第一信号焊盘、在第一信号焊盘之间并且与第一贯通通路电隔离的第一虚设焊盘以及围绕第一信号焊盘和第一虚设焊盘的第一电介质层。上部结构包括第二半导体衬底、第二信号焊盘和第二虚设焊盘以及围绕第二信号焊盘和第二虚设焊盘的第二电介质层。第一信号焊盘与相应的第二信号焊盘接触。第一虚设焊盘与相应的第二虚设焊盘接触。第一虚设焊盘之间的第一间隔是第一信号焊盘之间的第二间隔的0.5至1.5倍。
-
公开(公告)号：CN113270329A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110046610.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在第一载体基底上形成剥离层，其中，剥离层包括第一部分和第二部分，其中，第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度；在剥离层上形成阻挡层；在阻挡层上形成重新分布层，其中，重新分布层包括布线和绝缘层；将半导体芯片安装在重新分布层上；在重新分布层上形成模制层以至少部分地围绕半导体芯片；将第二载体基底附着到模制层上；去除第一载体基底和剥离层；去除阻挡层；以及将焊球附着到通过去除阻挡层与剥离层的第二部分而暴露的重新分布层上。
-
公开(公告)号：CN114171510A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110717235.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装，可以包括：基板和在基板上的半导体芯片。基板可以包括：内绝缘层；再分布层，在内绝缘层中；外绝缘层，在内绝缘层上；连接焊盘，设置在外绝缘层中并且电连接到再分布层；以及，接地电极，在外绝缘层中。连接焊盘的顶表面可以通过外绝缘层的顶表面暴露，并且连接焊盘的顶表面的高度可以低于外绝缘层的顶表面的高度。接地电极的底表面的高度可以高于再分布层的顶表面的高度，并且外绝缘层覆盖接地电极的顶表面。
-
公开(公告)号：CN111613587A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911362709.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065
Abstract: 提供了一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一再分布结构；设置在第一再分布结构上的第一半导体芯片；设置在第一再分布结构上的导电柱；覆盖第一再分布结构的上表面的密封物；以及设置在密封物上的第二再分布结构。密封物的上表面具有开口，开口暴露出导电柱的上表面。第二再分布结构包括布线图案以及将布线图案连接至导电柱的连接过孔。
-
公开(公告)号：CN117637626A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310644708.X
申请日：2023-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一主区域和第一边缘区域；以及第二半导体芯片，在第一半导体芯片上并包括第二主区域和第二边缘区域。第一半导体芯片包括：第一主焊盘和第一虚设焊盘，在第一半导体芯片的顶表面上，分别位于第一主区域和第一边缘区域上。第二半导体芯片包括：第一半导体衬底；布线层，在第一半导体衬底下方并包括布线介电层和布线图案；以及第二主焊盘和第二虚设焊盘，在布线层下方，分别位于第二主区域和第二边缘区域上。第二主区域上布线层的厚度大于第二边缘区域上布线层的厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110868A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393664.X
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/02 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体封装件，其中，第一绝缘层包括在第一方向上与第一焊盘间隔开的第一凹部，并且第二绝缘层包括在第一方向上与第二焊盘间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上与第一凹部的至少一部分交叠以与第一凹部一起提供气隙的第二凹部。半导体封装件还包括第一接合表面和第二接合表面，第一接合表面在气隙的一侧由彼此接触的第一绝缘层和第二绝缘层限定，并且与第一焊盘和第二焊盘相邻，第二接合表面在气隙的与所述一侧相对的另一侧由彼此接触的第一绝缘层和第二绝缘层限定。
-
公开(公告)号：CN115117009A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111441749.6
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布基板；半导体芯片，位于所述再分布基板的顶表面上；以及焊料端子，位于所述再分布基板的底表面上。所述再分布基板包括：凸块下图案，与所述焊料端子接触；电介质层，位于所述凸块下图案的侧壁上；凸块下种子图案，位于所述电介质层和所述凸块下图案的所述侧壁之间；以及再分布图案，位于所述凸块下图案上。所述凸块下图案具有中心区域和边缘区域。所述凸块下图案的所述边缘区域处的第一顶表面所处的高度高于所述凸块下图案的在所述中心区域处的第二顶表面的高度。所述凸块下图案的所述底表面和所述侧壁之间的角度在110°至140°的范围内。
-
公开(公告)号：CN114242678A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110723356.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/50
Abstract: 公开了半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括第一再分布基板和位于所述第一再分布基板上的第一半导体器件。所述第一再分布基板包括：第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔；下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分；外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并且通过所述第一孔连接到所述下凸块；润湿层，所述润湿层位于所述外部连接端子与所述下凸块之间；和第一阻挡/晶种层，所述第一阻挡/晶种层位于所述下凸块与所述第一电介质层之间以及所述下凸块与所述润湿层之间。
-
公开(公告)号：CN112447529A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010844089.5
申请日：2020-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 制造半导体封装件的方法可包括：在第一载体上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括暴露第一阻挡层的至少一部分的开口的牺牲层；在第一阻挡层上和牺牲层上形成第二阻挡层。第二阻挡层可包括形成在牺牲层上的部分。所述方法还可包括在开口中形成第一绝缘层，第一绝缘层突出超过第二阻挡层的所述部分的顶表面，第一绝缘层的顶表面比第二阻挡层的所述部分的顶表面更远离第一阻挡层；在第一绝缘层上和第二阻挡层上形成包括再分布层和第二绝缘层的再分布结构；在再分布结构上安装半导体芯片；将第二载体附着到半导体芯片上并去除第一载体；去除第一阻挡层、牺牲层和第二阻挡层以暴露再分布结构的部分；和分别在再分布结构的所述部分上形成焊料球。
-
公开(公告)号：CN112289768A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010347007.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括重新分布衬底以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片。重新分布衬底包括凸块下图案、覆盖凸块下图案的侧壁的下介电层以及下介电层上的第一重新分布图案。第一重新分布图案包括第一线路部分。凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度。凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.032 seconds)
